[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括第一区和第二区，所述第一区基底上具有第一伪栅极层，所述第二区基底上具有第二伪栅极层，所述第一伪栅极层和第二伪栅极层顶部均具有初始掩膜层；

在所述基底上、第一伪栅极层和第二伪栅极层的侧壁、以及初始掩膜层的侧壁和顶部表面形成第一介质膜，且第一区第一介质膜的密度小于第二区第一介质膜的密度；

采用第一平坦化工艺去除部分第一介质膜和第一区部分初始掩膜层，直至暴露出第二区初始掩膜层，在所述第一伪栅极层顶部形成第一掩膜层；

在所述第一介质膜和第一掩膜层上形成第二介质层，所述第二介质层暴露出第二区的初始掩膜层顶部表面；

以所述第二介质层为掩膜，采用第一刻蚀工艺减薄第二初始掩膜层，形成第二掩膜层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始掩膜层的材料包括：氮化硅。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，第一介质膜的材料包括：氧化硅；所述第一介质膜的形成工艺包括：流体化学气相沉积工艺。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始掩膜层的厚度为：900埃～1100埃。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的厚度为：750埃～850埃。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀工艺包括：湿法刻蚀工艺和干法刻蚀工艺中的一种或者两种组合。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜层的厚度为：650埃～750埃。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二掩膜层之后，所述形成方法还包括：去除部分第二介质层，暴露出第一掩膜层的侧壁和顶部表面、以及第二掩膜层的侧壁和顶部表面；去除部分第二介质层之后，在所述第二介质层表面、第一掩膜层的侧壁和顶部表面、以及第二掩膜层的侧壁和顶部表面形成第三介质膜，所述第一区第三介质膜的密度小于第二区第三介质膜的密度；采用第二平坦化工艺去除部分第三介质膜和第一掩膜层，直至暴露出第一伪栅极层的顶部表面；所述第二平坦化工艺之后，在所述第一伪栅极层的顶部表面、以及第二掩膜层的顶部表面形成第四介质层，所述第四介质层暴露出第二掩膜层的顶部表面；以所述第四介质层为掩膜，采用第二刻蚀工艺减薄所述第二掩膜层，直至暴露出第二伪栅极层的顶部表面。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一区的器件密度大于第二区的器件密度。

10.一种半导体结构，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括第一区和第二区，所述第一区基底上具有第一伪栅极层，所述第二区基底上具有第二伪栅极层；

位于所述第一伪栅极层表面的第一掩膜层；

位于所述第二伪栅极层表面的第二掩膜层；

位于所述基底表面的第一介质膜，所述第一区的第一介质膜的密度小于第二区的第一介质膜的密度；所述第一介质膜覆盖所述第一伪栅极层和第二伪栅极层的侧壁；

位于所述第一介质膜和第一掩膜层表面的第二介质层。

11.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述第一掩膜层的材料包括氮化硅；所述第二掩膜层的材料包括：氮化硅。

12.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述第一掩膜层的厚度为：750埃～850埃。

13.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述第二掩膜层的厚度为：650埃～750埃。