[发明专利]包括电阻结构的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

在基板上的下层间绝缘层，所述基板包括电阻区域；

电阻结构，包括顺序地堆叠的电阻层和蚀刻停止图案，在所述电阻区域中，在所述下层间绝缘层上；

上层间绝缘层，配置为覆盖所述电阻结构并且在所述下层间绝缘层上；

电阻接触结构，配置为穿过所述上层间绝缘层和所述蚀刻停止图案并接触所述电阻层；以及

电阻接触间隔物，在所述上层间绝缘层和所述蚀刻停止图案与所述电阻接触结构之间，所述电阻接触间隔物包括：

第一电阻接触间隔物，和

在所述第一电阻接触间隔物和所述电阻接触结构之间的第二电阻接触间隔物，所述第二电阻接触间隔物的顶端相对于所述基板低于所述第一电阻接触间隔物的顶端。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中

所述第一电阻接触间隔物包括氧化物，以及

所述第二电阻接触间隔物包括氮化物。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中

所述电阻接触结构的顶部分的侧表面接触所述第一电阻接触间隔物，以及

所述电阻接触结构的底部分的侧表面接触所述第二电阻接触间隔物。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二电阻接触间隔物的顶端位于所述蚀刻停止图案的顶表面与底表面之间的水平处。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一电阻接触间隔物的顶端在与所述上层间绝缘层的顶表面相同的水平处。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述基板包括所述电阻区域和晶体管区域，并且所述半导体器件还包括：

多个栅结构，在所述基板上在所述晶体管区域和所述电阻区域中，所述多个栅结构具有被所述下层间绝缘层覆盖的侧壁；

杂质区域，在所述基板的在所述晶体管区域的所述多个栅结构之间的部分之间；

晶体管接触结构，配置为穿过所述上层间绝缘层和所述下层间绝缘层并接触所述杂质区域；以及

晶体管接触间隔物，在所述上层间绝缘层和所述下层间绝缘层与所述晶体管接触结构之间，所述晶体管接触间隔物包括：

第一晶体管接触间隔物，和

第二晶体管接触间隔物，在所述第一晶体管接触间隔物和所述晶体管接触结构之间，所述第二晶体管接触间隔物的顶端相对于所述基板在比所述第一晶体管接触间隔物的顶端低的水平处。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其中所述第一晶体管接触间隔物和所述第二晶体管接触间隔物分别包括与所述第一电阻接触间隔物和所述第二电阻接触间隔物相同的材料。

8.如权利要求6所述的半导体器件，其中所述第二电阻接触间隔物的顶端和所述第二晶体管接触间隔物的顶端在相同的水平处。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述电阻结构还包括：

下缓冲绝缘图案，在所述下层间绝缘层和所述电阻层之间。

10.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述电阻结构还包括：

上缓冲绝缘图案，在所述上层间绝缘层和所述蚀刻停止图案之间，以及

其中所述电阻接触结构穿过所述上层间绝缘层、所述上缓冲绝缘图案和所述蚀刻停止图案。

11.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述蚀刻停止图案包括氮化物。

12.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二电阻接触间隔物的底端接触所述第一电阻接触间隔物，并且所述第二电阻接触间隔物的顶端接触所述电阻接触结构。

13.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述电阻结构和所述蚀刻停止图案彼此间隔开并且所述第一电阻接触间隔物在其间。