[发明专利]包括电阻结构的半导体器件

说明书

本发明提供了包括满足电阻器件的期望目标电阻值的电阻结构且具有增强的特性的半导体器件。一种半导体器件包括：下层间绝缘层，设置在包括电阻区域的基板上；电阻结构，包括顺序地堆叠在电阻区域的下层间绝缘层上的电阻层和蚀刻停止图案；上层间绝缘层，配置为覆盖电阻结构并设置在下层间绝缘层上；电阻接触结构，配置为穿过上层间绝缘层和蚀刻停止图案并接触电阻层；以及电阻接触间隔物，设置在上层间绝缘层和蚀刻停止图案与电阻接触结构之间。

技术领域

本发明构思的示例实施方式涉及半导体器件。例如，至少一些示例实施方式涉及包括电阻结构的半导体器件。

背景技术

半导体器件可以包括为有源器件的二极管或者晶体管以及为无源器件的电阻器件或电容器件。在这些器件当中，电阻器件可以用于操作集成电路并可以包括金属材料。通常，在具有多层互连结构的半导体器件中，电阻器件可以通过接触结构电连接。

发明内容

发明构思的至少一些示例实施方式提供一种具有电阻结构的半导体器件，该电阻结构包括通过接触结构电连接的电阻器件。

根据发明构思的一示例实施方式，一种半导体器件包括：在基板上的下层间绝缘层，该基板包括电阻区域；电阻结构，包括顺序地堆叠的电阻层和蚀刻停止图案，在电阻区域中，在下层间绝缘层上；上层间绝缘层，配置为覆盖电阻结构并在下层间绝缘层上；电阻接触结构，配置为穿过上层间绝缘层和蚀刻停止图案并接触电阻层；以及电阻接触间隔物，在上层间绝缘层和蚀刻停止图案与电阻接触结构之间，该电阻接触间隔物包括第一电阻接触间隔物以及在第一电阻接触间隔物和电阻接触结构之间的第二电阻接触间隔物，第二电阻接触间隔物的顶端相对于基板低于第一电阻接触间隔物的顶端。

根据本发明构思的另一示例实施方式，一种半导体器件包括：下层间绝缘层，配置为覆盖基板和在基板上的多个栅结构的侧壁，该基板包括晶体管区域和电阻区域；电阻结构，包括顺序地堆叠的电阻层和蚀刻停止图案，在电阻区域中，在所述多个栅结构和下层间绝缘层上；上层间绝缘层，在下层间绝缘层上从而覆盖晶体管区域以及电阻区域中的电阻结构；接触结构，包括电阻接触结构和晶体管接触结构，电阻接触结构配置为穿过上层间绝缘层和蚀刻停止图案并接触电阻层，晶体管接触结构配置为穿过上层间绝缘层和下层间绝缘层并接触基板中的在晶体管区域中的杂质区域；电阻接触间隔物，在上层间绝缘层和蚀刻停止图案与电阻接触结构之间，电阻接触间隔物包括第一电阻接触间隔物和第二电阻接触间隔物，第二电阻接触间隔物在第一电阻接触间隔物和电阻接触结构之间，第二电阻接触间隔物的顶端位于比第一电阻接触间隔物的顶端低的水平处；以及晶体管接触间隔物，在上层间绝缘层和下层间绝缘层与晶体管接触结构之间，晶体管接触间隔物包括第一晶体管接触间隔物和第二晶体管接触间隔物，第二晶体管接触间隔物在第一晶体管接触间隔物和晶体管接触结构之间，第二晶体管接触间隔物的顶端位于比第一晶体管接触间隔物的顶端低的水平处。

根据本发明构思的一示例实施方式，一种半导体器件包括：多个电阻接触间隔物，每个包括第一电阻接触间隔物和第二电阻接触间隔物，第二电阻接触间隔物在第一电阻接触间隔物与多个电阻接触结构中的相应一个之间，第二电阻接触间隔物的顶端位于比第一电阻接触间隔物的顶端低的水平处；以及多个晶体管接触间隔物，每个包括第一晶体管接触间隔物和第二晶体管接触间隔物，第二晶体管接触间隔物在第一晶体管接触间隔物与多个晶体管接触结构中的相应一个之间，第二晶体管接触间隔物的顶端位于比第一晶体管接触间隔物的顶端低的水平处。

附图说明

从以下结合附图的详细描述，本发明构思的示例实施方式将被更清楚地理解，附图中：

图1是根据一示例实施方式的半导体器件的截面图；

图2A至图2D是根据一示例实施方式的半导体器件的一部分的放大截面图；

图3至图9是根据至少一个示例实施方式的半导体器件的截面图；

图10至图19是用于描述根据一示例实施方式的制造半导体器件的方法的截面图；以及