[发明专利]一种聚水集肥的垄作沟植瓜类种植方法在审
| 申请号： | 201810079140.0 | 申请日： | 2018-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN108184570A | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 文宏达;李淑文;梁敬;张欣;王磊;刘德祥 | 申请（专利权）人： | 河北农业大学 |
| 主分类号： | A01G22/05 | 分类号： | A01G22/05;A01B79/02 |
| 代理公司： | 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 | 代理人： | 董芙蓉 |
| 地址： | 071000 河北省保定市*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟植 瓜类 垄作 小沟 薄膜 播种 种植 弓形 环境效益 垄沟相间 生态效益 有机结合 表土 瓜果类 集水面 小南瓜 种植带 成垄 覆膜 沟谷 沟膜 瓜苗 宽带 垄面 埋入 起垄 生土 填入 土压 挖出 挖沟 小洞 真叶 径流 腾空 经济作物 降雨 水土流失 两边 河道 山坡 西瓜 山区 | ||
1.一种聚水集肥的垄作沟植瓜类种植方法，其特征在于，所述聚水集肥的垄作沟植瓜类种植方法包括以下步骤：
步骤一，划分一个种植带区，每带区起垄，垄面弓形；先将宽带区内的表土全部翻到相邻的带区内；
步骤二，然后挖沟，沟内挖出的生土放在垄背上，并按要求培成垄，沟内再填入熟土；垄沟相间排列；
步骤三，在瓦垄状沟的两侧开小沟，将薄膜的两边埋入小沟内，用土压实，使薄膜在沟上呈腾空状，降雨时瓦垄状沟膜即可形成集水面；
步骤四，在沟内播种，播种后及时覆膜，待西瓜或小南瓜长到4～5片真叶时，在每株苗的上方抠开一个小洞将瓜苗放出，在苗根部压土。
2.如权利要求1所述的聚水集肥的垄作沟植瓜类种植方法，其特征在于，所述步骤一中每隔2m划分为一个种植带区，每带区起垄，垄面弓形，垄高15cm，垄宽150cm，沟宽50cm，先将2m宽带区内厚20cm的表土全部翻到相邻的带区内。
3.如权利要求1所述的聚水集肥的垄作沟植瓜类种植方法，其特征在于，所述步骤二中挖宽50cm、深度分别为40cm的沟；沟内再填入40cm厚的熟土。
4.如权利要求1所述的聚水集肥的垄作沟植瓜类种植方法，其特征在于，所述步骤三中将宽90cm的薄膜的两边埋入小沟内。
5.一种利用权利要求1～4任意一项所述聚水集肥的垄作沟植瓜类种植方法种植的西瓜。
6.一种利用权利要求1～4任意一项所述聚水集肥的垄作沟植瓜类种植方法种植的小南瓜。
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