[发明专利]一种聚水集肥的垄作沟植瓜类种植方法在审
申请号: | 201810079140.0 | 申请日: | 2018-01-26 |
公开(公告)号: | CN108184570A | 公开(公告)日: | 2018-06-22 |
发明(设计)人: | 文宏达;李淑文;梁敬;张欣;王磊;刘德祥 | 申请(专利权)人: | 河北农业大学 |
主分类号: | A01G22/05 | 分类号: | A01G22/05;A01B79/02 |
代理公司: | 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 | 代理人: | 董芙蓉 |
地址: | 071000 河北省保定市*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 沟植 瓜类 垄作 小沟 薄膜 播种 种植 弓形 环境效益 垄沟相间 生态效益 有机结合 表土 瓜果类 集水面 小南瓜 种植带 成垄 覆膜 沟谷 沟膜 瓜苗 宽带 垄面 埋入 起垄 生土 填入 土压 挖出 挖沟 小洞 真叶 径流 腾空 经济作物 降雨 水土流失 两边 河道 山坡 西瓜 山区 | ||
本发明公开了一种聚水集肥的垄作沟植瓜类种植方法,包括:划分一个种植带区,每带区起垄,垄面弓形;先将宽带区内的表土全部翻到相邻的带区内;然后挖沟,沟内挖出的生土放在垄背上,并培成垄,沟内再填入熟土;垄沟相间排列;在瓦垄状沟的两侧开小沟,将薄膜的两边埋入小沟内,用土压实,使薄膜在沟上呈腾空状,降雨时瓦垄状沟膜即可形成集水面;在沟内播种,播种后及时覆膜,待西瓜或小南瓜长到4~5片真叶时,在每株苗的上方抠开一个小洞将瓜苗放出。本发明在山区沟谷的河道两侧,即可截蓄从山坡上产生的径流,减少水土流失,又可种植瓜果类经济作物,实现了生态效益、环境效益和经济效益的有机结合。
技术领域
本发明属于瓜类种植技术领域,尤其涉及一种聚水集肥的垄作沟植瓜类种 植方法。
背景技术
瓜类作物包括南瓜、西瓜、黄瓜、苦瓜、甜瓜、冬瓜等,多数作为蔬菜进 行生产管理,大面积高产栽培以设施栽培和露地栽培为主要形式。不同品种瓜 类的种植技术变化很大。南瓜、西瓜、冬瓜个体均较大,栽培栽培技术相近。 设施栽培因为人为改变了自然生态环境,人工控制措施消除了各种障碍因素, 因此生产中可以多茬口种植。而在露地栽培条件下,则受光照、温度、水分、 养分等因素的影响。南方瓜类生产因为光热和水分条件充足,因此露地栽培也 比北方旱区具有较好地竞争优势。可以采用塑料大棚、小拱棚和露地栽培等多 种形式,可以按春早熟、春季、秋延迟和越冬等4种栽培季节安排。
而在我国北方,尤其是半干旱地区,年均降水量在200-400mm,水分不足 是限制区域瓜类作物高产、优质的重要条件。半干旱地区光照充足,土地资源 相对丰富,但土地较贫瘠,养分供应受不足也成为这一区域发展瓜类蔬菜露天 栽培的重要限制因素。露地栽培条件下,瓜类一般均采用瓜蔓趴地方式进行种 植管理,这种栽培方式需要消耗较多的土地资源,但也能充分利用丰富的关照 资源。
因此,在北方半干旱区农田,发展瓜类蔬菜生产急需解决水肥供应不充足 的难题。冀西北坝上高原为农牧交错区,耕地面积中三分之二的农田属于旱砂 地,具有“寒凉、干旱、贫瘠、土层薄”的障碍特征。在这样的农田种植春小 麦、马铃薯、莜麦等当地主栽作物,单位面积产出低,技术经济效益偏低。发 展南瓜等稀植经济作物,只要解决了“寒、旱、薄、瘠”的障碍,就可以显著 提高经济效益。
发明内容
本发明的目的在于提供一种聚水集肥的垄作沟植瓜类种植方法,旨在解决 在北方半干旱区农田,发展瓜类蔬菜生产急需解决水肥供应不充足的难题。
本发明是这样实现的,一种聚水集肥的垄作沟植瓜类种植方法,所述聚水 集肥的垄作沟植瓜类种植方法包括以下步骤:
步骤一,划分一个种植带区,可以规定瓜类稀植栽培的株行距,以保证对 光热资源和水土资源的高效利用,以减少资源低效浪费,每带区起垄,垄面弓 形;先将宽带区内的表土全部翻到相邻的带区内;
步骤二,然后挖沟,沟内挖出的生土放在垄背上,并按要求培成垄,沟内 再填入熟土;垄沟相间排列;
步骤三,在瓦垄状沟的两侧开小沟,将薄膜的两边埋入小沟内,用土压实, 使薄膜在沟上呈腾空状,能保证薄膜覆盖结实,避免压土不实带来的薄膜被风 刮跑的现象出现,当地有风天数多、大风日数也多,尤其在瓜类种植季节,同 时还保证了水分汇聚和保温效果,降雨时瓦垄状沟膜即可形成集水面;
步骤四,在沟内播种,播种后及时覆膜,待西瓜或小南瓜长到4~5片真叶 时,在每株苗的上方抠开一个小洞将瓜苗放出,在苗根部压土。
进一步,所述步骤一中每隔2m划分为一个种植带区,每带区起垄,垄面弓 形,垄高15cm,垄宽150cm,沟宽50cm,先将2m宽带区内厚20cm的表土全 部翻到相邻的带区内。
进一步,所述步骤二中挖宽50cm、深度分别为40cm的沟;沟内再填入40cm 厚的熟土。
进一步,所述步骤三中将宽90cm的薄膜的两边埋入小沟内。
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