[发明专利]有机半导体器件的封装方法有效
| 申请号： | 201810080082.3 | 申请日： | 2018-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN108336243B | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 蔡丰豪 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机 半导体器件 封装 方法 | ||
1.一种有机半导体器件的封装方法，其特征在于，包括步骤：
提供一TFT基板；
在所述TFT基板上制作形成间隔设置的两个光阻块；
在所述TFT基板上制作形成有机半导体器件，所述有机半导体器件位于所述两个光阻块之间；
在所述TFT基板、两个光阻块、有机半导体器件上制作形成封装层；
从所述封装层的两端分别进行切割，以将所述两个光阻块的一部分切除；
将所述两个光阻块的剩下的部分及其上的封装层去除。
2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在所述TFT基板、两个光阻块、有机半导体器件上制作形成封装层具体包括：
在所述TFT基板、两个光阻块、有机半导体器件上交替沉积无机层和有机层；
在最后一层有机层上沉积无机层，以获得所述封装层。
3.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述有机层在所述TFT基板上的投影位于所述两个光阻块之间。
4.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，利用等离子体增强化学气相沉积法、脉冲激光沉积法或溅射沉积法沉积无机层。
5.根据权利要求2-3任一所述的封装方法，其特征在于，所述无机层的材质为SiOx或者SiNx。
6.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，利用喷墨印刷成型法、等离子体增强化学气相沉积法或者夹缝式挤压型涂布法沉积有机层。
7.根据权利要求2-3任一所述的封装方法，其特征在于，所述有机层的材质选自亚克力、环氧树脂、硅胶中的一种。
8.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在所述TFT基板上制作形成间隔设置的两个光阻块具体包括：
在所述TFT基板上沉积一层光阻层，所述光阻层包括曝光部及位于所述曝光部两侧的非曝光部；
对所述光阻层进行曝光；
对所述光阻层进行显影，以将所述曝光部去除，获得间隔设置的两个光阻块。
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