[发明专利]有机半导体器件的封装方法有效
申请号: | 201810080082.3 | 申请日: | 2018-01-27 |
公开(公告)号: | CN108336243B | 公开(公告)日: | 2020-02-18 |
发明(设计)人: | 蔡丰豪 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰 |
地址: | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 半导体器件 封装 方法 | ||
本发明提供一种有机半导体器件的封装方法,所述封装方法包括步骤:提供一TFT基板;在TFT基板上制作形成间隔设置的两个光阻块;在TFT基板上制作形成有机半导体器件,有机半导体器件位于两个光阻块之间;在TFT基板、两个光阻块、有机半导体器件上制作形成封装层;从封装层的两端分别进行切割,以将两个光阻块的一部分切除;将两个光阻块的剩下的部分及其上的封装层去除。本发明提出的有机半导体器件的封装方法,在TFT基板、两个光阻块、有机半导体器件上制作形成封装层后直接从封装层的顶部进行切割,以将两个光阻块的一部分切除;再将两个光阻块的剩下的部分及其上的封装层去除,整个过程减少了mask的使用,从而降低了制作成本,提升了制作精度和质量。
技术领域
本发明涉及器件封装技术领域,尤其涉及一种有机半导体器件的封装方法。
背景技术
OLED即有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode),具备自发光、高亮度、宽视角、高对比度、可挠曲、低能耗等特性,因此受到广泛的关注,并作为新一代的显示方式,已开始逐渐取代传统液晶显示器,被广泛应用在手机屏幕、电脑显示器、全彩电视等。OLED显示技术与传统的液晶显示技术不同,无需背光灯,采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板,当有电流通过时,这些有机材料就会发光。但有机材料对水、氧的阻挡能力较弱。为了延长OLED的寿命,就需要对OLED的有机材料进行有效的封装(TFE)。一般常用的OLED TFE工艺是通过mask在基底上交替制作多层有机、无机薄膜来实现,该方法需要使用大量的mask并需要定时对mask进行清洗,材料成本较高、保养较难、制作精度较低,一旦清洗不及时将会造成膜层质量问题。
发明内容
为了解决现有技术的不足,本发明提供一种有机半导体器件的封装方法,能够减少mask的使用,降低成本,提升制作精度和质量。
本发明提出的具体技术方案为:提供一种有机半导体器件的封装方法,所述封装方法包括步骤:
提供一TFT基板;
在所述TFT基板上制作形成间隔设置的两个光阻块;
在所述TFT基板上制作形成有机半导体器件,所述有机半导体器件位于所述两个光阻块之间;
在所述TFT基板、两个光阻块、有机半导体器件上制作形成封装层;
从所述封装层的两端分别进行切割,以将所述两个光阻块的一部分切除;
将所述两个光阻块的剩下的部分及其上的封装层去除。
进一步地,在所述TFT基板、两个光阻块、有机半导体器件上制作形成封装层具体包括:
在所述TFT基板、两个光阻块、有机半导体器件上交替沉积无机层和有机层;
在最后一层有机层上沉积无机层,以获得所述封装层。
进一步地,所述有机层在所述TFT基板上的投影位于所述两个光阻块之间。
进一步地,利用等离子体增强化学气相沉积法、脉冲激光沉积法或溅射沉积法沉积无机层。
进一步地,所述无机层的材质为SiOx或者SiNx。
进一步地,利用喷墨印刷成型法、等离子体增强化学气相沉积法或者夹缝式挤压型涂布法沉积有机层。
进一步地,所述有机层的材质选自亚克力、环氧树脂、硅胶中的一种。
进一步地,在所述TFT基板上制作形成间隔设置的两个光阻块具体包括:
在所述TFT基板上沉积一层光阻层,所述光阻层包括曝光部及位于所述曝光部两侧的非曝光部;
对所述光阻层进行曝光;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810080082.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择