[发明专利]振荡器、电子设备、移动体以及振荡器的制造方法有效
申请号: | 201810081603.7 | 申请日: | 2018-01-29 |
公开(公告)号: | CN108512547B | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 伊藤久浩 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H03L5/00 | 分类号: | H03L5/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;邓毅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 振荡器 电子设备 移动 以及 制造 方法 | ||
1.一种振荡器,该振荡器包含:
外部端子;
振子;以及
振荡电路,其使所述振子进行振荡,
所述振荡电路具有放大电路以及对所述放大电路提供电流的电流源,
根据从所述外部端子输入的第一控制信号来设定所述电流,所述振子的激励电平根据所述电流的设定而变化。
2.根据权利要求1所述的振荡器,其中,
所述放大电路具有:
NMOS晶体管;以及
电阻,其一端与所述NMOS晶体管的栅极端子电连接,另一端与所述NMOS晶体管的漏极端子电连接,
所述电流源对所述NMOS晶体管的所述漏极端子提供所述电流。
3.根据权利要求1或2所述的振荡器,其中,
根据从所述外部端子输入的第二控制信号可变地设定所述振子的负载电容,所述激励电平根据所述负载电容而变化。
4.根据权利要求1所述的振荡器,其中,
所述放大电路包含NMOS晶体管,
所述振荡电路具有:第一负载电容,其与所述NMOS晶体管的栅极端子电连接;以及第二负载电容,其与所述NMOS晶体管的漏极端子电连接,
根据从所述外部端子输入的第二控制信号可变地设定所述第一负载电容和所述第二负载电容中的至少一方,所述激励电平根据所述第一负载电容和所述第二负载电容而变化。
5.根据权利要求4所述的振荡器,其中,
所述第一负载电容越大则所述激励电平越大,
所述第二负载电容越大则所述激励电平越小。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的振荡器,其中,
所述第一控制信号包含至少1个脉冲,
每当向所述外部端子输入所述脉冲时切换所述电流的设定。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的振荡器,其中,
所述振荡电路的负性电阻值根据所述电流而变化。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的振荡器,其中,
该振荡器不具有与将所述振子和所述振荡电路连接的布线电连接而仅用于所述振子的检查的外部端子。
9.一种电子设备,该电子设备具有权利要求1至8中的任一项所述的振荡器。
10.一种移动体,该移动体具有权利要求1至8中的任一项所述的振荡器。
11.一种振荡器的制造方法,包含如下的工序:
组装振荡器,该振荡器包含外部端子、振子以及使所述振子进行振荡的振荡电路,所述振荡电路具有放大电路以及对所述放大电路提供电流的电流源,所述电流是根据从所述外部端子输入的第一控制信号而设定的,所述振子的激励电平根据所述电流而变化;以及
向所述外部端子输入所述第一控制信号,基于从所述振荡器输出的信号的变化而对所述振子的激励电平依赖性进行检查。
12.根据权利要求11所述的振荡器的制造方法,其中,
在所述振荡器中,所述振荡电路的负性电阻值根据所述电流而变化,
在对所述振子的所述激励电平依赖性进行检查的工序中,基于从所述振荡器输出的信号而进一步对所述振子的阻抗值进行检查。
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