[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201810082594.3 | 申请日： | 2018-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN109509742A | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | 刀祢馆达郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/28 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 牛玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属层 膜厚 半导体装置 金属板 半导体芯片 第1金属层 绝缘层 绝缘基板 焊料层 散热性 | ||
1.一种半导体装置，其中，具备：
半导体芯片；
金属板；
绝缘基板，设在上述半导体芯片与上述金属板之间，具有第1金属层、第2金属层、和上述第1金属层与上述第2金属层之间的绝缘层，上述第2金属层具备具有第1膜厚的第1区域、具有第2膜厚的第2区域、具有比上述第1膜厚及上述第2膜厚厚的第3膜厚的第3区域，上述第3区域位于上述第1区域与上述第2区域之间；以及
焊料层，设在上述第2金属层与上述金属板之间。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
上述第1膜厚及上述第2膜厚是上述第3膜厚的0.4倍以上且0.9倍以下。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
上述第2金属层和上述绝缘层的界面与第1线段之间的角度是45度以下，所述第1线段是将上述第1区域和上述第3区域的边界部与上述半导体芯片的第1端部虚拟地连结而得到的；
上述第2金属层和上述绝缘层的界面与第2线段之间的角度是45度以下，所述第2线段是将上述第1区域和上述第3区域的边界部与上述半导体芯片的第2端部虚拟地连结而得到的。
4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
上述金属板以与上述绝缘基板对置的面的相反面为凸形状的方式弯曲。
5.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
还具备设在上述半导体芯片与上述第1金属层之间的粘接层。
6.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
上述绝缘层是氧化铝、氮化硅或氮化铝。
7.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
上述金属板含有铜(Cu)。
8.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
上述第1金属层及上述第2金属层含有铜(Cu)。
9.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
上述焊料层含有锑(Sb)。
10.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
还具备将上述绝缘基板的周围包围的框体、盖、和设在上述绝缘基板与上述框体之间以及上述绝缘基板与上述盖之间的密封材料，上述盖与上述金属板之间夹着上述绝缘基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社，未经株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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