[发明专利]半导体装置

说明书

实施方式提供一种能够实现散热性的提高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：半导体芯片；金属板；绝缘基板，设在半导体芯片与金属板之间，具有第1金属层、第2金属层、和第1金属层与第2金属层之间的绝缘层，第2金属层具备具有第1膜厚的第1区域、具有第2膜厚的第2区域、具有比第1膜厚及第2膜厚厚的第3膜厚的第3区域，第3区域位于第1区域与第2区域之间；以及焊料层，设在第2金属层与金属板之间。

本申请基于日本专利申请第2017－176262号(申请日：2017年9月14日)主张优先权，本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及半导体装置。

背景技术

在功率半导体模块中，例如在金属基底板之上以在中间夹着绝缘基板的方式安装有功率半导体芯片。功率半导体芯片例如是IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)、MOSFET(Metal Oxide Field Effect Transistor，金属氧化物场效应晶体管)或二极管。

功率半导体芯片由于在高电压下流过高电流，所以发热量较大。如果功率半导体模块的散热性较低，则起因于功率半导体芯片的发热，发生接合线的断路不良等的可靠性不良。因此，功率半导体模块要求使散热性提高。

发明内容

本发明提供一种能够实现散热性的提高的半导体装置。

本发明的一技术方案的半导体装置具备：半导体芯片；金属板；绝缘基板，设在上述半导体芯片与上述金属板之间，具有第1金属层、第2金属层、和上述第1金属层与上述第2金属层之间的绝缘层，上述第2金属层具备具有第1膜厚的第1区域、具有第2膜厚的第2区域、具有比上述第1膜厚及上述第2膜厚厚的第3膜厚的第3区域，上述第3区域位于上述第1区域与上述第2区域之间；以及焊料层，设在上述第2金属层与上述金属板之间。

附图说明

图1是实施方式的半导体装置的示意剖视图。

图2是实施方式的一部分的放大示意剖视图。

图3是比较方式的半导体装置的示意剖视图。

图4是比较方式的半导体装置的问题点的说明图。

图5是实施方式的半导体装置的作用及效果的说明图。

具体实施方式

本说明书中，对于相同或类似的部件，有赋予相同的标号而省略重复的说明的情况。

本说明书中，为了表示零件等的位置关系，有将附图的上方向记述为“上”、将附图的下方向记述为“下”的情况。在本说明书中，“上”、“下”的概念并不一定是表示与重力的朝向的关系的用语。

实施方式的半导体装置具备：半导体芯片；金属板；绝缘基板，设在半导体芯片与金属板之间，具有第1金属层、第2金属层、和第1金属层与第2金属层之间的绝缘层，第2金属层具备具有第1膜厚的第1区域、具有第2膜厚的第2区域、具有比第1膜厚及第2膜厚厚的第3膜厚的第3区域，第3区域位于第1区域与第2区域之间；以及焊料层，设在第2金属层与金属板之间。

图1是实施方式的半导体装置的示意剖视图。图2是实施方式的一部分的放大示意剖视图。实施方式的半导体装置是功率半导体模块100。