[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201810082595.8 | 申请日： | 2018-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN109509739A | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | 岩津泰德 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 牛玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体区域 半导体装置 导电型 栅极电极 电极 栅极绝缘层 导通电阻 方向交叉 | ||
1.一种半导体装置，其中，具备：
第1半导体区域；
第1导电型的第2半导体区域，设在上述第1半导体区域的一部分之上；
第2导电型的第3半导体区域，设在上述第2半导体区域的一部分之上；
第2导电型的第4半导体区域，设在上述第1半导体区域的另一部分之上，具有第1部分和第2部分，上述第1部分和上述第2半导体区域在与从上述第1半导体区域朝向上述第2半导体区域的第1方向交叉的第2方向上排列，上述第2部分位于上述第3半导体区域的上方；
栅极电极，隔着栅极绝缘层设在上述第2半导体区域的另一部分、上述第3半导体区域的一部分及上述第1部分之上；
第1电极，设在上述第3半导体区域的另一部分之上，与上述第3半导体区域电连接；以及
第2电极，设在上述第2部分之上，与上述第4半导体区域电连接。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
还具备：
第1导电型的第5半导体区域，设在上述第2部分之上；以及
第1绝缘部，设在上述栅极电极之上，
上述第5半导体区域中的第1导电型的载流子浓度比上述第2部分中的第1导电型的载流子浓度高；
上述第5半导体区域与上述第1绝缘部在上述第2方向上排列。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
还具备在上述第2方向上被设置在上述栅极电极与上述第2部分之间的第2绝缘部；
上述第2绝缘部的上述第2方向上的长度比上述栅极绝缘层的上述第1方向上的长度长。
4.如权利要求3所述的半导体装置，其中，
上述第2绝缘部的下端弯曲。
5.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
上述栅极电极的上述第1方向上的长度比上述栅极电极的上述第2方向上的长度长。
6.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
上述栅极电极在上述第2方向上位于上述第1电极与上述第2部分之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社，未经株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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