[发明专利]用于制造光电子半导体芯片的方法

权利要求书

1.一种用于制造光电子半导体芯片的方法，所述方法具有如下步骤：

-提供具有像素区域(2)的半导体本体(1)，所述像素区域具有至少两个不同的子像素区域(3)，

-将导电层(18)施加到至少一个子像素区域(3)的辐射出射面(9)上，其中所述导电层(18)适合于与质子的反应参与物至少部分地构成盐，

-通过电泳工艺在所述导电层(18)上沉积转换层(19，19’)，其中电泳沉积的层具有孔。

2.一种用于制造光电子半导体芯片的方法，所述方法具有如下步骤：

-提供具有像素区域(2)的半导体本体(1)，所述像素区域具有至少两个不同的子像素区域(3)，

-将导电层(18)施加到至少一个子像素区域(3)的辐射出射面(9)上，其中所述导电层(18)适合于与质子的反应参与物至少部分地构成盐，

-通过电泳工艺在所述导电层(18)上沉积转换层(19，19’)，其中

-每个子像素区域(3)的辐射出射面(9)都构成为是导电的，并且

-上面施加有所述转换层(19，19’)的所述子像素区域(3)在所述电泳工艺中独立于其他的所述子像素区域(3)通电，

-所述导电的辐射出射面(9)通过移除钝化层(10)产生，所述钝化层施加在所述子像素区域(3)上。

3.根据权利要求1或2所述的方法，

其中所述子像素区域(3)构成为彼此电绝缘的并且每个子像素区域(3)具有有源层(5)，所述有源层适合于发射第一波长范围的电磁辐射。

4.根据权利要求1或2所述的方法，

其中所述子像素区域(3)的导电的辐射出射面(9)通过透明导电层(13)形成，所述透明导电层具有TCO材料。

5.根据权利要求1或2所述的方法，

其中

-每个子像素区域(3)的辐射出射面(9)都构成为是导电的，

-所述导电层(18)整面地施加到所述半导体本体(1)的前侧上，

-将光刻胶层(17，17’)在至少一个子像素区域(3)中施加到所述导电层(18)上，而所述导电层(18)在另一子像素区域(3)中是能自由接近的。

6.根据权利要求1或2所述的方法，

其中在电泳工艺期间侧向地电接触所述导电层(18)。

7.根据权利要求1或2所述的方法，

其中

-每个子像素区域(3)的辐射出射面(9)通过钝化层(10)形成，以及

-在至少一个子像素区域(3)的所述辐射出射面(9)的区域中移除所述钝化层(10)，使得所述子像素区域(3)的所述辐射出射面(9)构成为是导电的，而在至少一个子像素区域(3)中保留所述钝化层(10)。

8.根据权利要求7所述的方法，

其中

-在另一子像素区域(3)中移除所述钝化层(10)，使得所述子像素区域(3)的所述辐射出射面(9)构成为是导电的，

-将所述导电层(18)施加到该子像素区域(3)的所述辐射出射面(9)上，

-将另一转换层(19，19’)通过电泳工艺沉积在所述导电层(18)上。

9.根据权利要求1所述的方法，

其中

-每个子像素区域(3)的辐射出射面(9)通过钝化层(10)形成，

-所述导电层(18)整面地施加到所述半导体本体(1)的前侧上，

-将光刻胶层(17，17’)在至少一个子像素区域(3)中施加到所述导电层(18)上，而所述导电层(18)在另一子像素区域(3)中是能自由接近的。

10.根据权利要求1或2所述的方法，

其中至少所述导电层(18)引入所述质子的反应参与物中，使得所述导电层(18)与所述质子的反应参与物至少部分地构成盐。