[发明专利]用于制造光电子半导体芯片的方法

说明书

提出一种用于制造光电子半导体芯片的方法，所述方法具有如下步骤：‑提供具有像素区域(2)的半导体本体(1)，所述像素区域具有至少两个不同的子像素区域(3)，‑将导电层(18)施加到至少一个子像素区域(3)的辐射出射面(9)上，其中导电层(18)适合于与质子的反应参与物至少部分地构成盐，‑通过电泳工艺在导电层(18)上沉积转换层(19，19’)。

本发明申请是于申请日为2014年8月8日提交的、申请号为201480046508.3(国际申请号为PCT/EP2014/067098)以及发明名称为“用于制造光电子半导体芯片的方法”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明提出一种用于制造光电子半导体芯片的方法。

背景技术

尤其在该方法中，转换层电泳地沉积在半导体本体上。例如在文献C.R.Belton等、J.Phys.D.:Appl.Phys.41，094006(2008)中描述了用于施加转换层的方法。

发明内容

当前应当提出一种方法，借助所述方法可行的是：将转换层施加到相对小的子像素区域上来产生不同的颜色。

该目的通过具有根据本发明的实施例的方法来实现。该方法的有利的改进形式和实施方案是本发明的实施例的主题。

在用于制造半导体芯片的方法中提供一种具有像素区域的半导体本体。像素区域具有至少两个不同的子像素区域。优选地，子像素区域构成为彼此电绝缘的。每个子像素区域优选具有有源层，所述有源层适合于在半导体本体运行中发射出第一波长范围的电磁辐射。尤其优选第一波长范围具有蓝色光或由蓝色光形成。

子像素区域例如具有最高150微米的边长。子像素区域例如能够通过沟槽相互分开。例如子像素区域相互间以一定间距设置。例如在两个直接相邻的子像素区域之间的间距具有不大于10微米的值。

此外，将导电层施加到至少一个子像素区域的辐射出射面上。导电层适合于与质子反应参与物至少部分地构成盐。

尤其优选地，导电层具有金属、金属合金、半金属或半导体材料或由金属、半金属或半导体材料形成。例如导电层具有下列材料中的一种或由下列材料中的一种形成：锂、钠、钾、铷、铯、铍、钙、镁、锶、钡、钪、钛、铝、硅、镓、锡、锆、氧化锌、硫化锌、硒化锌、碲化锌、氧化锡。

导电层尤其优选具有20纳米和20微米之间的厚度，其中包括边界值。例如，导电层具有20纳米和300纳米之间的厚度，其中包括边界值。尤其优选地，导电层具有20纳米和100纳米之间的厚度，其中包括边界值。

优选地，导电层具有至少1西门子/米(Siemens/Meter)的电导率。导电层的电导率也能够通过掺杂提高。这种电导率有利地也在相对薄的导电层中实现充足的电荷传输，所述薄的导电层大致具有20纳米和300纳米之间的或20纳米和100纳米之间的厚度，其中包括边界值。

导电层能够例如通过热蒸镀或溅射沉积。

在导电层上通过电泳工艺沉积转换层。转换层适合于将第一波长范围的电磁辐射转换为第二波长范围的辐射。换言之，转换层以波长转换的方式构成。

当前，术语“波长转换”尤其指的是：特定的波长范围的射入的电磁辐射转换成其他的、优选长波的波长范围的电磁辐射。通常，波长转换的元件吸收射入的波长范围的电磁辐射，所述射入的波长范围的电磁辐射通过在原子层面和/或分子层面上的电子过程转换为其他波长范围的电磁辐射并且再次射出转换后的电磁辐射。

转换层通常包括发光材料的颗粒，所述颗粒赋予转换层波长转换的特性。