[发明专利]薄膜太阳能电池在审
| 申请号： | 201810083952.2 | 申请日： | 2018-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN108269868A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 聂曼;杨立红 | 申请（专利权）人： | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0445 | 分类号： | H01L31/0445 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 周放;解立艳 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光吸收层 碱性元素 薄膜太阳能电池 碱金属元素 基板 载流子 电池开路电压 光电转换效率 透明导电层 表面复合 处理工艺 电子结构 离子交换 依次设置 缓冲层 层间 膜层 钼层 制备 电池 | ||
1.一种薄膜太阳能电池，其特征在于，包括：
基板；
设置在所述基板上的第一导电层；
设置在所述第一导电层上的第一碱性元素层；
设置在所述第一碱性元素层上的光吸收层；
设置在所述光吸收层上的第二碱性元素层；
设置在所述第二碱性元素层上的缓冲层；
设置在所述缓冲层上的透明导电层。
2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述第一导电层包括钼。
3.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述钼层的厚度为200～500nm，所述钼层的电阻为500～1000mΩ。
4.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述光吸收层为铜铟镓硒吸收层，所述铜铟镓硒吸收层的厚度为1.8～2.5um。
5.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述铜铟镓硒吸收层组成元素的原子比例满足：0.75≤Cu/(In+Ga)≤1，0.2≤Ga/(In+Ga)≤0.5。
6.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述缓冲层为硫化镉层，所述硫化镉层的厚度为20～70nm。
7.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述透明导电层的成分为掺铝氧化锌。
8.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述透明导电层的厚度为800～1200nm，所述透明导电层的电阻为5～30Ω。
9.根据权利要求1-8任一项所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述第一碱性元素层为NaF、KF、RbF或CsF中的一种。
10.根据权利要求1-8任一项所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述第二碱性元素层为NaF、KF、RbF或CsF中的一种。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
