[发明专利]一种LED芯片检测设备及检测方法

权利要求书

1.一种LED芯片检测设备，其特征在于，包括能够发射激励光束的高能激发装置、位于所述高能激发装置上方的图像采集装置以及与所述图像采集装置连接的结果输出装置；

所述高能激发装置包括用于发射激励光束的激发源、用于放置待检测芯片的载物台以及用于支撑所述载物台的框架，所述激发源设于所述载物台下方并朝向所述载物台，所述载物台上设有供所述激励光束通过的通道；

所述图像采集装置包括用于获取图像的采集头，所述采集头朝向所述载物台设置。

2.根据权利要求1所述的LED芯片检测设备，其特征在于，所述激发源为激励光束的波段小于等于440nm的短波长能量源。

3.根据权利要求2所述的LED芯片检测设备，其特征在于，所述激发源为激励光束的波段在270nm-400nm范围内的短波长能量源。

4.根据权利要求1所述的LED芯片检测设备，其特征在于，所述高能激发装置还包括用于调节所述激励光束的激发源调节器，所述激发源调节器与所述激发源相连接。

5.根据权利要求1所述的LED芯片检测设备，其特征在于，所述图像采集装置包括光学放大装置，所述光学放大装置与所述采集头相连接。

6.根据权利要求5所述的LED芯片检测设备，其特征在于，所述采集头包括至少一个CCD相机，所述CCD相机与所述光学放大装置相连接。

7.一种基于权利要求1-6中任一项所述的LED芯片检测设备的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、所述高能激发装置发射激励光束并使所述激励光束照射于待检测芯片上，所述待检测芯片的量子阱吸收激励光束而形成自发光；

步骤二、利用图像采集装置获取所述待检测芯片的发光图像并将所述发光图像传输至结果输出装置；

步骤三、通过结果输出装置进行图像识别，所述图像识别包括将所述发光图像与储存于所述结果输出装置中的参照图像的亮度、发光均匀度进行比较判断及对判断为不合格芯片的发光图像进行标记，所述参照图像为合格芯片的发光图像；

步骤四、所述结果输出装置显示带有标记的图像识别结果。

8.根据权利要求7所述的LED芯片检测方法，其特征在于，在所述步骤二中，所述图像采集装置通过光学放大装置获取所述待检测芯片的经放大处理的发光图像。

9.根据权利要求7所述的LED芯片检测方法，其特征在于，在所述步骤三中，当所述发光图像与储存于所述结果输出装置中的参照图像的亮度或者发光均匀度的相差值大于或者等于预设的额定差值时，判断所述发光图像所对应的待检测芯片为不合格芯片。

10.根据权利要求7所述的LED芯片检测方法，其特征在于，所述步骤四中还包括筛选步骤，所述筛选步骤包括自动模式与人工模式；

在所述自动模式下，启动机械手进入执行状态，根据所述步骤三中标记的发光图像的位置，驱动所述机械手定位至对应的不合格芯片并对所述不合格芯片进行移除；

在所述人工模式下，关闭所述高能激发装置，根据所述步骤三中标记的发光图像的位置，将对应的不合格芯片进行人工移除。