[发明专利]背照式图像传感器的制造方法

说明书

本公开涉及一种制造背照式图像传感器的方法。一种制造背照式图像传感器的方法，包括：在基底上形成介质层，其中所述基底中具有金属布线层；在所述介质层中形成沟槽；在所述介质层和所述基底中形成通孔；以及在所述通孔和所述沟槽中同时填充金属，其中在所述沟槽中填充的金属构成所述背照式图像传感器的金属栅格，在所述通孔中填充的金属用于将所述金属布线层与外部设备电连接。

技术领域

本公开涉及背照式图像传感器的制造方法。

背景技术

在传统的CMOS图像传感器中，光电二极管位于电路层下方，入射光会受到电路布线的遮挡。在背照式图像传感器中，光线从图像传感器的背面入射。这样，能够使入射光先入射到光电二极管中，从而提高了入射光量，能够显著提高低光照条件下的拍摄效果。

硅片通道(Through Silicon Vias,TSV)技术被认为是半导体行业最先进的技术之一。利用TSV可以使两个或更多个芯片垂直整合，从而形成三维堆叠的硅器件。

发明内容

根据本公开的第一方面，提供了一种制造背照式图像传感器的方法，包括：在基底上形成介质层，其中所述基底中具有金属布线层；在所述介质层中形成沟槽；在所述介质层和所述基底中形成通孔；以及在所述通孔和所述沟槽中同时填充金属，其中在所述沟槽中填充的金属构成所述背照式图像传感器的金属栅格，在所述通孔中填充的金属用于将所述金属布线层与外部设备电连接。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。

参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：

图1是示出根据本公开的制造背照式图像传感器的流程的示意图。

图2是示出根据本公开的制造背照式图像传感器的流程的示意图。

图3是示出根据本公开的制造背照式图像传感器的流程的示意图。

图4是示出根据本公开的制造背照式图像传感器的流程的示意图。

图5是示出根据本公开的制造背照式图像传感器的流程的示意图。

图6是示出根据本公开的制造背照式图像传感器的流程的示意图。

图7是示出根据本公开的制造背照式图像传感器的流程的示意图。

图8是示出根据本公开的制造背照式图像传感器的流程的示意图。

图9是示出根据本公开的制造背照式图像传感器的流程的示意图。

图10是示出根据本公开的制造背照式图像传感器的流程的示意图。

图11是示出根据本公开的制造背照式图像传感器的方法的流程图。

注意，在以下说明的实施方式中，有时在不同的附图之间共同使用同一附图标记来表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重复说明。在本说明书中，使用相似的标号和字母表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

为了便于理解，在附图等中所示的各结构的位置、尺寸及范围等有时不表示实际的位置、尺寸及范围等。因此，所公开的发明并不限于附图等所公开的位置、尺寸及范围等。

具体实施方式

现在将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本公开的范围。

以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。