[发明专利]参考电压源电路在审
| 申请号： | 201810087599.5 | 申请日： | 2018-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN108287586A | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 邵博闻 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 参考电压源电路 电路结构 电阻组成 驱动能力 晶体管 电阻 | ||
1.一种参考电压源电路，其特征在于：由第一PMOS晶体管～第三PMOS晶体管，第一NMOS晶体管～第四NMOS晶体管，第四电阻和第五电阻包括；
第一PMOS晶体管～第三PMOS晶体管的源极与电源电压端VDD相连接，第一PMOS晶体管的栅极和漏极与第二PMOS晶体管的栅极相连接，其连接的节点记为PB，第二PMOS晶体管的漏极与第三PMOS晶体管的栅极相连接，其连接的节点记为PG，第三PMOS晶体管的漏极与第五电阻的一端相连接；
第一NMOS晶体管的漏极与所述节点PB相连接，其栅极与第五电阻的另一端和第四电阻的一端相连接；
第二NMOS晶体管的漏极与所述节点PG相连接，其栅极与第四电阻的另一端相连接，其连接的节点记为NB；
第一NMOS晶体管的源极与第二NMOS晶体管的源极和第四NMOS晶体管的漏极相连接；
第四NMOS晶体管的栅极、第三NMOS晶体管的栅极和漏极与所述节点NB相连接；
第四NMOS晶体管的源极和第三NMOS晶体管的源极与地端GND相连接；
第三PMOS晶体管的漏极与第五电阻的连接端作为电路的输出电压端VREF。
2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，MN2＝N*MN1，第四电阻上流过电流为IB，IB＝(kT/q)*lnN/R4，
其中，MN1表示第一NMOS晶体管，MN2表示第二NMOS晶体管，R4表示第四电阻，表示第五电阻，*表示乘号，K是波尔兹曼常数，T是绝对温度，q是电荷常量，N是MN2和MN1的比值，VGSMN3是第三NMOS晶体管的栅源电压。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810087599.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种稳压电源
- 下一篇：温度补偿电路及显示装置
