[发明专利]一种柔性LED器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201810087983.5 | 申请日： | 2018-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN108281518B | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 查宝;曾燚 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/48;H01L33/52;H01L33/62 |
| 代理公司： | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人： | 黄威<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 518132广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 制备 复合膜层 柔性LED 微米柱 高分子树脂 金属电极层 软模 剥离 掺杂金属氧化物 发光均匀 间隙填充 光刻胶 硅晶片 图案化 膜层 上旋 显影 制程 曝光 | ||
1.一种柔性LED器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
步骤S1、提供一P-型硅晶片为衬底，在所述衬底上旋涂一层光刻胶，通过曝光、显影制程，在所述衬底上获得一层图案化的P-型硅微米柱；
步骤S2、在所述P-型硅微米柱之间的间隙填充软模高分子树脂，形成一层包括所述P-型硅微米柱与所述软模高分子树脂的复合膜层；
步骤S3、在所述复合膜层上依次制备N-型掺杂金属氧化物膜层、第一金属电极层；
步骤S4、剥离所述衬底，在所述复合膜层剥离掉所述衬底一侧的表面上制备第二金属电极层，然后将由所述复合膜层、所述第一金属电极层、所述第二金属电极层和所述N-型掺杂金属氧化物膜层组成的整体转移至柔性衬底上，形成柔性LED器件。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S1中，至少一部分所述P-型硅晶片用作所述衬底，另一部分图案化后形成均一的所述P-型硅微米柱，且所述P-型硅微米柱均匀的分布于所述衬底上。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S2之后，所述方法还包括以下步骤：刻蚀所述复合膜层，使所述P-型硅微米柱与所述软模高分子树脂共平面。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S3中，采用离子磁控溅射的方式在所述复合膜层表面沉积一层所述N-型掺杂金属氧化物膜层，使所述N-型掺杂金属氧化物膜层与所述P-型硅微米柱形成P-N结。
5.一种采用权利要求1～4任一权利要求所述的制备方法制备的柔性LED器件，其特征在于，包括：
柔性衬底基板，所述柔性衬底基板包括有显示区域；
阳极层，对应所述显示区域制备于所述柔性衬底基板上；
复合膜层，制备于所述阳极层上，所述复合膜层包括软模高分子树脂以及P-型硅微米柱，所述P-型硅微米柱的高度为5μm～100μm；
N-型金属氧化物层，制备于所述复合膜层上；
阴极层，制备于所述N-型金属氧化物层上；
其中，所述P-型硅微米柱均匀的分布于所述复合膜层中，且贯穿于所述软模高分子树脂，与所述N-型金属氧化物层形成P-N结。
6.根据权利要求5所述的柔性LED器件，其特征在于，所述P-型硅微米柱的直径为0.5μm～10μm。
7.根据权利要求5所述的柔性LED器件，其特征在于，相邻两所述P-型硅微米柱之间的距离为2μm～20μm。
8.根据权利要求5所述的柔性LED器件，其特征在于，所述P-型硅微米柱的形状为圆柱形、棱柱形、圆台形或者棱台形。
9.根据权利要求5所述的柔性LED器件，其特征在于，所述软模高分子树脂的材料为聚甲基丙烯酸甲酯、聚二甲基硅氧烷、柔性环氧树脂以及柔性聚酰亚胺中的一者或一者以上。
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