[发明专利]一种柔性LED器件及其制备方法

说明书

本发明提供一种柔性LED器件及其制备方法，所述方法包括以下步骤：先提供一P‑型硅晶片为衬底，在所述衬底上旋涂一层光刻胶，通过曝光、显影制程，在所述衬底上获得一层图案化的P‑型硅微米柱；然后在所述P‑型硅微米柱之间的间隙填充软模高分子树脂，形成一层包括所述P‑型硅微米柱与所述软模高分子树脂的复合膜层；再在所述复合膜层上依次制备N‑型掺杂金属氧化物膜层、第一金属电极层；最后剥离所述衬底，在所述复合膜层剥离掉所述衬底一侧的表面上制备第二金属电极层，然后将其转移至柔性衬底上，形成一种发光均匀的柔性LED器件。

技术领域

本发明涉及显示器件制造领域，尤其涉及一种柔性LED器件及其制备方法。

背景技术

LED(Lighting Emitting Diode)即为发光二极管，是一种能将电能转化为光能的半导体固体发光器件，LED与普通的二极管类似都是由一个PN结组成，其发光机理是利用固体半导体芯片作为发光材料，在半导体中通过P区的空穴和和N区的电子发生复合，释放出过剩的能量而引起光子发射，根据不同的半导体材料中禁带宽度不同，其空穴和电子所处的能量状态也不同，因此在其复合时释放出的能量则不同，从而产生不同波长的光。

随着科学技术的发展，LED的性能在不断提高，LED被广泛的应用在各个领域，比如照明、装饰、背光源和景观照明等。LED的发展在各个应用领域发展迅猛，但是也随之而来会遇到一些挑战：其一、随着低碳经济时代的到来，发展更为节能的LED是势在必行的任务；其二、因LED为硬质、不能够弯曲的特点，不能够满足其在某些特定场合的使用需求，因此，发展柔性的LED是当下需解决的问题。

目前要实现LED的柔性，OLED虽然可以很好的实现柔性，但是制程条件苛刻，难以生产尺寸相对较大，而传统的无机半导体LED，一个难以突破的问题就是在于半导体硅材料在弯曲时的脆性问题。

发明内容

本发明提供的一种柔性LED器件及其制备方法，能够克服硅材料的在弯曲时的脆性，能够突破硬质LED使用范围的局限性，制程相对简单且能够节能。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供一种柔性LED器件的制备方法，所述方法包括以下步骤：

步骤S1、提供一P-型硅晶片为衬底，在所述衬底上旋涂一层光刻胶，通过曝光、显影制程，在所述衬底上获得一层图案化的P-型硅微米柱；

步骤S2、在所述P-型硅微米柱之间的间隙填充软模高分子树脂，形成一层包括所述P-型硅微米柱与所述软模高分子树脂的复合膜层；

步骤S3、在所述复合膜层上依次制备N-型掺杂金属氧化物膜层、第一金属电极层；

步骤S4、剥离所述衬底，在所述复合膜层剥离掉所述衬底一侧的表面上制备第二金属电极层，然后将由所述复合膜层、所述第一金属电极层、所述第二金属电极层和所述N-型掺杂金属氧化物膜层组成的整体转移至柔性衬底上，形成柔性LED器件。

根据本发明一优选实施例，所述步骤S1中，至少一部分所述P-型硅晶片用作所述衬底，另一部分图案化后形成均一的所述P-型硅微米柱，且所述P-型硅微米柱均匀的分布于所述衬底上。

根据本发明一优选实施例，所述步骤S2之后，所述方法还包括以下步骤：刻蚀所述复合膜层，使所述P-型硅微米柱与所述软模高分子树脂共平面。

根据本发明一优选实施例，所述步骤S3中，采用离子磁控溅射的方式在所述复合膜层表面沉积一层所述N-型掺杂金属氧化物膜层，使所述N-型掺杂金属氧化物膜层与所述P-型硅微米柱形成P-N结。

本发明还提供一种采用上述制备方法制备的柔性LED器件，包括：

柔性衬底基板，所述柔性衬底基板包括有显示区域；