[发明专利]非晶硅光电二极管模组

权利要求书

1.一种非晶硅光电二极管模组，其特征在于，所述非晶硅光电二极管模组包括：

TFT玻璃基底，包含第一面以及与所述第一面相对的第二面；

第一非晶硅光电二极管，具有第一透明上电极以及第一透明下电极，所述第一非晶硅光电二极管通过所述第一透明下电极固定于所述TFT玻璃基底的第一面上。

2.根据权利要求1所述的非晶硅光电二极管模组，其特征在于：所述非晶硅光电二极管模组还包括第一闪烁体层，所述第一闪烁体层位于所述第一非晶硅光电二极管的所述第一透明上电极之上。

3.根据权利要求1或2所述的非晶硅光电二极管模组，其特征在于：所述非晶硅光电二极管模组还包括第二闪烁体层，所述第二闪烁体层位于所述TFT玻璃基底的所述第二面上。

4.根据权利要求1所述的非晶硅光电二极管模组，其特征在于：由所述TFT玻璃基底及所述第一非晶硅光电二极管组成一模组单元，所述非晶硅光电二极管模组包含至少两个层叠的所述模组单元，相邻的两个所述模组单元电性相连。

5.根据权利要求4所述的非晶硅光电二极管模组，其特征在于：所述层叠的方式包括：上层的所述模组单元的TFT玻璃基底与下层的所述模组单元的第一非晶硅光电二极管相接。

6.根据权利要求5所述的非晶硅光电二极管模组，其特征在于：所述非晶硅光电二极管模组还包括第一闪烁体层，所述第一闪烁体层位于最上层的所述第一非晶硅光电二极管的所述第一透明上电极之上。

7.根据权利要求4所述的非晶硅光电二极管模组，其特征在于：所述层叠的方式包括：上层的所述模组单元的TFT玻璃基底与下层的所述模组单元的TFT玻璃基底相接。

8.根据权利要求7所述的非晶硅光电二极管模组，其特征在于：所述非晶硅光电二极管模组还包括第一闪烁体层及第二闪烁体层，所述第一闪烁体层及所述第二闪烁体层分别位于相背离的两个所述第一非晶硅光电二极管的所述第一透明上电极表面。

9.根据权利要求8所述的非晶硅光电二极管模组，其特征在于：所述第一闪烁体层及所述第二闪烁体层包括GOS陶瓷闪烁体层、NaI闪烁体层、CsI闪烁体层、laBr₃闪烁体层及CdWO₄闪烁体层所组成群组中的一种。

10.根据权利要求1所述的非晶硅光电二极管模组，其特征在于：还包括第二非晶硅光电二极管，具有第二透明上电极以及第二下电极，所述第二非晶硅光电二极管通过所述第二透明上电极固定于所述TFT玻璃基底的第二面上，且与所述第一非晶硅光电二极管电性连接，光线被所述第一非晶硅光电二极管吸收后，剩余光线穿过所述第一非晶硅光电二极管的第一透明下电极及所述TFT玻璃基底被所述第二非晶硅光电二极管吸收，以增大所述非晶硅光电二极管模组的信号幅度。

11.根据权利要求10所述的非晶硅光电二极管模组，其特征在于：所述第二非晶硅光电二极管与所述第一非晶硅光电二极管串联，以减小所述第一非晶硅光电二极管与所述第二非晶硅光电二极管的大电容。

12.根据权利要求10所述的非晶硅光电二极管模组，其特征在于：所述第二非晶硅光电二极管与所述第一非晶硅光电二极管并联，以增大信号幅度并减小噪声。

13.根据权利要求10所述的非晶硅光电二极管模组，其特征在于：所述第二非晶硅光电二极管的所述第二下电极为第二非透明下电极。

14.根据权利要求10所述的非晶硅光电二极管模组，其特征在于：所述非晶硅光电二极管模组还包括第一闪烁体层，所述第一闪烁体层位于最上层的所述第一非晶硅光电二极管的所述第一透明上电极之上。