[发明专利]非晶硅光电二极管模组

说明书

本发明提供一种非晶硅光电二极管模组，包括：TFT玻璃基底，包含第一面以及相对的第二面；第一非晶硅光电二极管，具有第一透明上电极以及第一透明下电极，所述第一非晶硅光电二极管通过所述第一透明下电极固定于所述TFT玻璃基底的第一面上，通过所述第一透明下电极与TFT玻璃基底第二面的第二非晶硅光电二极管相连。本发明在制备基于TFT玻璃基底的非晶硅硅光电二极管时，将紧临TFT玻璃基底的电极改成透明电极，正面非晶硅硅光电二极管不能完全吸收闪烁体产生的可见光，剩余的光线可以穿透透明电极，到达TFT玻璃基底的背面，可以被背面的非晶硅硅光电二极管吸收，以增强信号幅度。

技术领域

本发明涉及核辐射探测及核技术应用领域，特别是涉及一种可以增强信号幅度的非晶硅光电二极管模组。

背景技术

广泛应用于辐射探测及成像领域的技术，主要是通过射线照射闪烁体像素阵列，产生可见光，经光电二极管(PD)转换为电信号，再经过电子学系统采集传输数据，并由图像重建算法处理，显示测试图像。这些技术应用于医学设备，安全检测设备，工业无损检测设备，食品及农产品安全分拣系统，及其它辐射探测系统中。

成像模组的结构通常是切割封装的闪烁体像素阵列，与光电二极管像素阵列粘接耦合，产生的电信号输入到后续电子学采集系统中。其中光电二极管分为传统的单晶硅光电二极管，和基于TFT玻璃的非晶硅光电二极管，前者光灵敏层厚度大，可以完全吸收闪烁材料产生的可见光，产生的信号大；而在TFT玻璃上制备的非晶硅光电二极管，厚度最多只能达到2μm，一般在1.2μm左右，对长于700nm的光吸收衰减严重。

当应用于辐射成像时，例如基于TFT的平板探测器，和只有非晶硅光电二极管阵列的探测器模组，由于非晶光电二极管的光吸收能力有限，同样厚度的闪烁体材料，非晶硅的光信号比单晶硅的信号小，会严重影响图像的清晰度。

基于以上所述，提供一种可以有效解决基于TFT玻璃的非晶硅光电二极管的光灵敏层厚度有限，激发的光电转换信号小，使得后续的图像品质受影像的问题的非晶硅光电二极管模组实属必要。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种非晶硅光电二极管模组，用于解决现有技术中基于TFT玻璃的非晶硅光电二极管的光灵敏层厚度有限，激发的光电转换信号小，使得后续的图像品质受影像的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种非晶硅光电二极管模组，所述非晶硅光电二极管模组包括：TFT玻璃基底，包含第一面以及与所述第一面相对的第二面；第一非晶硅光电二极管，具有第一透明上电极以及第一透明下电极，所述第一非晶硅光电二极管通过所述第一透明下电极固定于所述TFT玻璃基底的第一面上。

优选地，所述非晶硅光电二极管模组还包括第一闪烁体层，所述第一闪烁体层位于所述第一非晶硅光电二极管的所述第一透明上电极之上。

优选地，所述非晶硅光电二极管模组还包括第二闪烁体层，所述第二闪烁体层位于所述TFT玻璃基底的所述第二面上。

优选地，由所述TFT玻璃基底及所述第一非晶硅光电二极管组成一模组单元，所述非晶硅光电二极管模组包含至少两个层叠的所述模组单元，相邻的两个所述模组单元电性相连。

优选地，所述层叠的方式包括：上层的所述模组单元的TFT玻璃基底与下层的所述模组单元的第一非晶硅光电二极管相接。

优选地，所述非晶硅光电二极管模组还包括第一闪烁体层，所述第一闪烁体层位于最上层的所述第一非晶硅光电二极管的所述第一透明上电极之上。

优选地，所述层叠的方式包括：上层的所述模组单元的TFT玻璃基底与下层的所述模组单元的TFT玻璃基底相接。

优选地，所述非晶硅光电二极管模组还包括第一闪烁体层及第二闪烁体层，所述第一闪烁体层及所述第二闪烁体层分别位于相背离的两个所述第一非晶硅光电二极管的所述第一透明上电极表面。