[发明专利]掩模组件的制造方法有效
申请号: | 201810089595.0 | 申请日: | 2018-01-30 |
公开(公告)号: | CN108374147B | 公开(公告)日: | 2021-12-03 |
发明(设计)人: | 金桢国;任星淳;黄圭焕;金圣哲;文英慜 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | C23C14/30 | 分类号: | C23C14/30;C23C14/02;C23C14/14;C23C14/04;H01L51/56 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 模组 制造 方法 | ||
1.掩模组件制造方法,包括以下步骤:
准备载体衬底;
在所述载体衬底上涂覆第一光致抗蚀剂;
对所述第一光致抗蚀剂进行图案化以形成第一光致抗蚀剂图案;
所述载体衬底和所述第一光致抗蚀剂上涂覆第二光致抗蚀剂;
对所述第二光致抗蚀剂进行图案化以形成第二光致抗蚀剂图案;
在所述载体衬底上沉积金属层;
去除布置在所述第一光致抗蚀剂图案和所述第二光致抗蚀剂图案上的金属层;以及
将所述载体衬底与所述金属层分离以制造分割掩模,
其中,所述第一光致抗蚀剂为正性光致抗蚀剂,且所述第二光致抗蚀剂为负性光致抗蚀剂。
2.如权利要求1所述的掩模组件制造方法,其中,在对所述第一光致抗蚀剂进行图案化以形成第一光致抗蚀剂图案的步骤中,所述第一光致抗蚀剂图案的侧面与所述载体衬底构成钝角。
3.如权利要求1所述的掩模组件制造方法,其中,在对所述第二光致抗蚀剂进行图案化以形成第二光致抗蚀剂图案的步骤中,所述第二光致抗蚀剂图案的侧面与所述载体衬底构成锐角。
4.如权利要求1所述的掩模组件制造方法,其中,所述第一光致抗蚀剂图案的上表面的面积小于第二光致抗蚀剂图案的上表面的面积。
5.如权利要求1所述的掩模组件制造方法,其中,所述第一光致抗蚀剂图案的下表面的面积大于所述第一光致抗蚀剂图案的上表面的面积。
6.如权利要求1所述的掩模组件制造方法,其中,所述第二光致抗蚀剂图案的上表面的面积大于所述第二光致抗蚀剂图案的下表面的面积。
7.如权利要求1所述的掩模组件制造方法,其中,所述分割掩模的厚度为50μm以下。
8.如权利要求1所述的掩模组件制造方法,其中,在所述载体衬底上沉积金属层的步骤中,布置在所述第二光致抗蚀剂图案上的金属层与直接接触所述载体衬底的金属层分隔开。
9.如权利要求1所述的掩模组件制造方法,其中,将所述载体衬底与所述金属层分离以制造分割掩模的步骤包括以下步骤:
对所述载体衬底照射激光。
10.如权利要求1所述的掩模组件制造方法,还包括以下步骤:
将所述分割掩模布置在掩模框架上;以及
将所述分割掩模固定至所述掩模框架。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810089595.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:有机物沉积装置及方法
- 下一篇:一种基于弧靶中毒效应的类金刚石薄膜制备方法
- 同类专利
- 专利分类