[发明专利]一种改善电极环粘附性的PV膜层及粘附性改善方法在审
| 申请号： | 201810092423.9 | 申请日： | 2018-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN108321276A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 胡卫 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44 |
| 代理公司： | 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214 | 代理人： | 郑隽;吴婷 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电极环 粘附性 电极外表面 透明绝缘层 粘附性改善 崩裂现象 受热 电极 薄膜层 外延片 膜层 球带 沉积 覆盖 | ||
【权利要求书】：
1.一种改善电极环粘附性的PV膜层，其特征在于，外延片的ITO环外和裸露的N-GaN层外沉积SiNO薄膜层作为透明绝缘层。
2.根据权利要求1所述的PV膜层，其特征在于，SiNO薄膜层的折射率为1.74。
3.根据权利要求1所述的PV膜层，其特征在于，透明绝缘层的沉积厚度在之间。
4.根据权利要求1所述的PV膜层，其特征在于，透明绝缘层的沉积厚度为
5.一种电极环粘附性的改善方法，其特征在于，在电极及ITO层表面上，利用PECVD设备沉积SiNO作为透明绝缘层；
沉积过程的工艺条件为：基板温度260℃，腔体压力800mtorr，通入的气体比例为SiH4:NH3:N2O＝1.5:1:6，用高纯N2做载气，总气体流量为2000sccm。
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