[发明专利]一种改善电极环粘附性的PV膜层及粘附性改善方法在审

专利信息
申请号: 201810092423.9 申请日: 2018-01-31
公开(公告)号: CN108321276A 公开(公告)日: 2018-07-24
发明(设计)人: 胡卫 申请(专利权)人: 湘能华磊光电股份有限公司
主分类号: H01L33/44 分类号: H01L33/44
代理公司: 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214 代理人: 郑隽;吴婷
地址: 423038 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 电极环 粘附性 电极外表面 透明绝缘层 粘附性改善 崩裂现象 受热 电极 薄膜层 外延片 膜层 球带 沉积 覆盖
【权利要求书】:

1.一种改善电极环粘附性的PV膜层,其特征在于,外延片的ITO环外和裸露的N-GaN层外沉积SiNO薄膜层作为透明绝缘层。

2.根据权利要求1所述的PV膜层,其特征在于,SiNO薄膜层的折射率为1.74。

3.根据权利要求1所述的PV膜层,其特征在于,透明绝缘层的沉积厚度在之间。

4.根据权利要求1所述的PV膜层,其特征在于,透明绝缘层的沉积厚度为

5.一种电极环粘附性的改善方法,其特征在于,在电极及ITO层表面上,利用PECVD设备沉积SiNO作为透明绝缘层;

沉积过程的工艺条件为:基板温度260℃,腔体压力800mtorr,通入的气体比例为SiH4:NH3:N2O=1.5:1:6,用高纯N2做载气,总气体流量为2000sccm。

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