[发明专利]一种改善电极环粘附性的PV膜层及粘附性改善方法在审
申请号: | 201810092423.9 | 申请日: | 2018-01-31 |
公开(公告)号: | CN108321276A | 公开(公告)日: | 2018-07-24 |
发明(设计)人: | 胡卫 | 申请(专利权)人: | 湘能华磊光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/44 | 分类号: | H01L33/44 |
代理公司: | 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214 | 代理人: | 郑隽;吴婷 |
地址: | 423038 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电极环 粘附性 电极外表面 透明绝缘层 粘附性改善 崩裂现象 受热 电极 薄膜层 外延片 膜层 球带 沉积 覆盖 | ||
1.一种改善电极环粘附性的PV膜层,其特征在于,外延片的ITO环外和裸露的N-GaN层外沉积SiNO薄膜层作为透明绝缘层。
2.根据权利要求1所述的PV膜层,其特征在于,SiNO薄膜层的折射率为1.74。
3.根据权利要求1所述的PV膜层,其特征在于,透明绝缘层的沉积厚度在之间。
4.根据权利要求1所述的PV膜层,其特征在于,透明绝缘层的沉积厚度为
5.一种电极环粘附性的改善方法,其特征在于,在电极及ITO层表面上,利用PECVD设备沉积SiNO作为透明绝缘层;
沉积过程的工艺条件为:基板温度260℃,腔体压力800mtorr,通入的气体比例为SiH4:NH3:N2O=1.5:1:6,用高纯N2做载气,总气体流量为2000sccm。
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