[发明专利]样品架有效
申请号: | 201810094468.X | 申请日: | 2018-01-31 |
公开(公告)号: | CN108257899B | 公开(公告)日: | 2022-10-14 |
发明(设计)人: | 郭逦达;赵树利;叶亚宽;杨立红 | 申请(专利权)人: | 上海祖强能源有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 北京正和明知识产权代理事务所(普通合伙) 11845 | 代理人: | 申婕 |
地址: | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 样品 | ||
1.一种样品架,其特征在于,所述样品架包括限位架、托架和立架,所述限位架以及所述托架连接于所述立架并通过所述立架相互间隔设置;
其中,所述限位架包括第一框体,所述第一框体内开设有第一开口,所述第一框体形成所述第一开口的两相对侧内壁上分别形成有至少一限位凸起,每一所述限位凸起的至少一侧形成有限位槽,所述第一框体两相对内侧的所述限位槽一一对应,所述第一开口为宽度渐变的开口,所述立架包括脚部、与所述脚部相连的支撑部以及与所述支撑部相连的延伸部,所述脚部与所述支撑部之间形成有第一台阶,所述托架支撑于所述第一台阶,所述支撑部与所述延伸部之间形成有第二台阶,所述限位架支撑于所述第二台阶;
所述限位槽的形状为矩形、V形、U形中的任意一种;所述第一开口具有至少两个宽度不同的部分;所述限位凸起的末端具有倒角;
所述托架包括第二框体,所述第二框体内开设有第二开口以及自所述第二框体表面凹陷的至少一凹槽,所述凹槽与所述限位槽一一对应;
所述凹槽的形状与所述限位槽的形状相同;及/或所述第二开口与所述第一开口的形状相同;所述凹槽的底面向所述第二开口方向倾斜;所述延伸部背离所述支撑部延伸出预定距离,并在末端形成提拉部,所述提拉部上还开设有卡槽,所述卡槽能够与外部机构配合以提拉所述样品架;所述凹槽与第二框体为弧状过渡。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造