[发明专利]一种改进型高速采样开关在审
| 申请号： | 201810094822.9 | 申请日： | 2018-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN110098835A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 龚川 | 申请（专利权）人： | 长沙泰科阳微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03M1/12 | 分类号： | H03M1/12;H03M1/46 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410000 湖南省长沙市经济技术开发区*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一端连接 电容 采样开关 电源正极 高速采样 改进型 缓冲器 信号输出端 信号输入端 电源负极 有效隔离 接地 输入端 反冲 减小 漏极 源极 噪声 | ||
1.一种改进型高速采样开关，其特征在于，包括电源正极VDD、电源负极VSS、信号输入端Vin、信号输出端Vout、开关开关开关开关开关采样开关M1、电容CBOOST、电容Cs及缓冲器buffer，其中，所述电源正极VDD与所述开关的一端连接，所述开关的另一端分别与所述电容CBOOST的一端及所述开关的一端连接，所述电容CBOOST的另一端分别与所述开关的一端及所述开关的一端连接，所述开关的另一端与所述电源负极VSS连接，所述开关的另一端与所述缓冲器buffer的一端连接，所述缓冲器buffer的另一端分别与所述信号输入端Vin及所述采样开关M1的漏极连接，所述采样开关M1的栅极分别与所述开关的另一端及所述开关的一端连接，所述开关的另一端与所述电源负极VSS连接，所述采样开关M1源极分别与所述电容Cs的一端及所述信号输出端Vout连接，所述电容Cs的另一端接地。
2.根据权利要求1所述的一种改进型高速采样开关，其特征在于，所述电容CBOOST与所述电容Cs均为半导体工艺电容。
3.根据权利要求2所述的一种改进型高速采样开关，其特征在于，所述电容CBOOST正极与所述开关的另一端及所述开关的一端连接。
4.根据权利要求2所述的一种改进型高速采样开关，其特征在于，所述电容Cs负极接地。
5.根据权利要求1所述的一种改进型高速采样开关，其特征在于，所述开关与所述开关及所述开关组成阶段。
6.根据权利要求1所述的一种改进型高速采样开关，其特征在于，所述开关与所述开关组成阶段。
7.根据权利要求1所述的一种改进型高速采样开关，其特征在于，所述缓冲器buffer为单位增益运放。
8.根据权利要求1所述的一种改进型高速采样开关，其特征在于，所述缓冲器buffer为源极跟随器。
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