[发明专利]一种量子点发光二极管QLED器件及其制作方法、装置有效
| 申请号： | 201810098238.0 | 申请日： | 2018-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN110098291B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 王建太;邢汝博;杨小龙;刘会敏;孙萍;韦冬 | 申请（专利权）人： | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 许志勇 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 量子 发光二极管 qled 器件 及其 制作方法 装置 | ||
1.一种制作量子点发光二极管QLED器件的方法，其特征在于，包括：
溶解非聚电解质类的聚合物和具有无机半导体性质的纳米粒子，形成混合溶液；
在形成的量子点发光层之上沉积所述混合溶液，形成包含所述聚合物和所述纳米粒子的第一传输层；
其中，所述第一传输层中所述聚合物呈网状且包裹所述纳米粒子，
在形成所述量子点发光层之前，所述方法还包括：
形成第二传输层，所述第二传输层中包含非聚电解质类的聚合物和具有无机半导体性质的纳米粒子，所述聚合物三维包裹所述纳米粒子，所述第二传输层位于所述量子点发光层下方。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，溶解非聚电解质类的聚合物和具有无机半导体性质的纳米粒子，形成混合溶液，具体包括：
采用第一溶剂溶解所述非聚电解质类的聚合物得到第一溶液；
采用第二溶剂溶解所述具有无机半导体性质的纳米粒子得到第二溶液；
混合所述第一溶液和所述第二溶液形成所述混合溶液。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，溶解非聚电解质类的聚合物和具有无机半导体性质的纳米粒子，形成混合溶液，具体包括：
采用第三溶剂溶解所述非聚电解质类的聚合物和具有无机半导体性质的纳米粒子形成所述混合溶液。
4.如权利要求2或3所述的方法，其特征在于，
所述混合溶液中所述聚合物的浓度小于1mg/ml；
所述混合溶液中所述纳米粒子的浓度大于或等于15mg/ml且小于或等于25mg/ml。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述混合溶液中包括醇溶剂。
6.如权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述聚合物为聚乙烯吡咯烷酮。
7.一种量子点发光二极管QLED器件，包括：量子点发光层，位于所述量子点发光层之上的第一传输层，其特征在于，
所述第一传输层包括非聚电解质类的聚合物和具有无机半导体性质的纳米粒子；
其中，所述聚合物呈网状且包裹所述纳米粒子；
所述器件还包括：位于所述量子点发光层之下的第二传输层，
所述第二传输层中包含网状的非聚电解质类的聚合物和具有无机半导体性质的纳米粒子，所述聚合物三维包裹所述纳米粒子。
8.一种量子点发光二极管QLED装置，其特征在于，包括如权利要求7所述的QLED器件。
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