[发明专利]一种量子点发光二极管QLED器件及其制作方法、装置

说明书

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种量子点发光二极管QLED器件及其制作方法、装置，用以缓解现有技术中量子点发光层之上形成的第一传输层中纳米粒子渗漏而影响量子点发光层的问题。该方法包括：溶解非聚电解质类的聚合物和具有无机半导体性质的纳米粒子，形成混合溶液；在形成的量子点发光层之上沉积混合溶液，形成包含聚合物和纳米粒子的第一传输层；其中，第一传输层中的聚合物呈网状且包裹纳米粒子，以阻隔纳米粒子渗漏至量子点发光层。从而，避免第一传输层中的纳米粒子受重力作用渗漏至量子点发光层中。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种量子点发光二极管QLED器件及其制作方法、装置。

背景技术

量子点发光二极管(Quantum DotLight Emitting Diodes，QLED)是一种新型的不需要额外光源的自发光技术，量子点(QuantumDots)是一些肉眼无法看到的、极其微小的半导体纳米粒子，是一种粒径为几纳米到几十纳米的颗粒。

如图1所示，为现有的QLED器件的膜层结构示意图，在该器件膜层中，由下至上依次主要包括：阴极11、电子传输层12、量子点发光层13、空穴传输层14、阳极15等膜层。此外，还可以包括：电子注入层、空穴注入层等，图1并未示出。

由于过渡金属氧化物(如氧化锌，氧化钛等)具有优异的可见光透过性、功函数可调节性，因此，成为QLED器件中电子传输层的优选材料。但由于电子传输层与量子点发光层通常都由具有半导体性质的无机物构成，且电子传输层与量子点发光层往往直接接触，导致现有技术中在量子点发光层上制备过渡金属氧化物电子传输层的过程中，会出现上层的纳米粒子渗漏至下层甚至层间互溶的情况。从而使得量子点发光层出现缺陷，进而影响QLED器件的性能。

发明内容

本申请实施例提供一种量子点发光二极QLED面板、装置及其制作方法，用以缓解现有技术中量子点发光层与传输层之间出现渗漏甚至层间互溶导致的量子点发光层存在缺陷的问题。

本申请实施例采用下述技术方案：

一种制作量子点发光二极管QLED器件的方法，包括：

溶解非聚电解质类的聚合物和具有无机半导体性质的纳米粒子，形成混合溶液；在形成的量子点发光层之上沉积所述混合溶液，形成包含所述聚合物和所述纳米粒子的第一传输层；其中，所述第一传输层中所述聚合物呈网状且包裹所述纳米粒子。

较优的，溶解非聚电解质类的聚合物和具有无机半导体性质的纳米粒子，形成混合溶液，具体包括：

采用第一溶剂溶解所述非聚电解质类的聚合物得到第一溶液；采用第二溶剂溶解所述具有无机半导体性质的纳米粒子得到第二溶液；混合所述第一溶液和所述第二溶液形成所述混合溶液。

较优的，溶解非聚电解质类的聚合物和具有无机半导体性质的纳米粒子，形成混合溶液，具体包括：

采用第三溶剂溶解所述非聚电解质类的聚合物和具有无机半导体性质的纳米粒子形成所述混合溶液。

较优的，在上述方法中：所述混合溶液中所述聚合物的浓度小于1mg/ml；所述混合溶液中所述纳米粒子的浓度大于或等于15mg/ml且小于或等于 25mg/ml。

较优的，所述混合溶液中包括醇溶剂。

较优的，在形成所述量子点发光层之前，所述方法还包括：

形成第二传输层，所述第二传输层中包含非聚电解质类的聚合物和具有无机半导体性质的纳米粒子。

较优的，所述聚合物为聚乙烯吡咯烷酮。