[发明专利]发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片在审
| 申请号： | 201810101212.7 | 申请日： | 2018-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN108400225A | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 冈村卓 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L33/58 | 分类号： | H01L33/58 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 于靖帅;乔婉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明基板 晶片 发光二极管芯片 粘贴 层叠体 分割预定线 一体化 背面 半导体层 互相交叉 晶片分割 发光层 制造 分割 | ||
1.一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，该发光二极管芯片的制造方法具有如下的工序：
晶片准备工序，准备如下的晶片：该晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层，在该层叠体层的正面上的由互相交叉的多条分割预定线划分的各区域中分别形成有LED电路，其中，所述层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层；
第1透明基板粘贴工序，将内部形成有多个气泡的第1透明基板的正面粘贴在晶片的背面上而形成第1一体化晶片；
第2透明基板粘贴工序，在实施了该第1透明基板粘贴工序之后，将第2透明基板的正面粘贴在该第1透明基板的背面上而形成第2一体化晶片；以及
分割工序，沿着该分割预定线将该晶片与该第1透明基板和该第2透明基板一起切断而将该第2一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制造方法，其中，
代替该第1透明基板粘贴工序和该第2透明基板粘贴工序，在将该第2透明基板的正面粘贴在该第1透明基板的背面上而进行了一体化之后，将晶片的背面粘贴在该第1透明基板的正面上。
3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制造方法，其中，
该第1透明基板和该第2透明基板由透明陶瓷、光学玻璃、蓝宝石以及透明树脂中的任意材料形成，使用透明粘接剂来实施该第1透明基板粘贴工序和该第2透明基板粘贴工序。
4.一种发光二极管芯片，其特征在于，该发光二极管芯片具有：
发光二极管，其在正面上形成有LED电路；
内部具有多个气泡的第1透明部件，其正面粘贴在该发光二极管的背面上；以及
第2透明部件，其正面粘贴在该第1透明部件的背面上。
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