[发明专利]发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片在审
申请号: | 201810101212.7 | 申请日: | 2018-02-01 |
公开(公告)号: | CN108400225A | 公开(公告)日: | 2018-08-14 |
发明(设计)人: | 冈村卓 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L33/58 | 分类号: | H01L33/58 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;乔婉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 透明基板 晶片 发光二极管芯片 粘贴 层叠体 分割预定线 一体化 背面 半导体层 互相交叉 晶片分割 发光层 制造 分割 | ||
提供发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片,得到充分的亮度。该方法具有:晶片准备工序,准备如下的晶片:该晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层,在层叠体层的正面上的由互相交叉的多条分割预定线划分的各区域中分别形成有LED电路,该层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层;第1透明基板粘贴工序,将内部形成有多个气泡的第1透明基板的正面粘贴在晶片的背面上而形成第1一体化晶片;第2透明基板粘贴工序,在实施了第1透明基板粘贴工序之后,将第2透明基板的正面粘贴在第1透明基板的背面上而形成第2一体化晶片;和分割工序,沿着分割预定线将晶片与第1、第2透明基板一起切断而将第2一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。
技术领域
本发明涉及发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片。
背景技术
在蓝宝石基板、GaN基板、SiC基板等晶体成长用基板的正面上形成有层叠体层,该层叠体层通过将n型半导体层、发光层和p型半导体层层叠多层而形成,将在该层叠体层上由交叉的多条分割预定线划分的区域内形成有多个LED(Light EmittingDiode:发光二极管)等发光器件的晶片被沿着分割预定线切断而分割成各个发光器件芯片,分割得到的发光器件芯片被广泛地应用在移动电话、个人计算机、照明设备等各种电子设备中。
由于从发光器件芯片的发光层射出的光具有各向同性,所以光也会照射到晶体成长用基板的内部而也从基板的背面和侧面射出。然而,在照射到基板的内部的光中,由于基板与空气层的界面处的入射角为临界角以上的光在界面上发生全反射而被关在基板内部,不会从基板射出到外部,所以存在导致发光器件芯片的亮度降低的问题。
为了解决该问题,在专利文献1中记载了如下的发光二极管(LED):为了抑制从发光层射出的光被关在基板的内部,将透明部件粘贴在基板的背面上而实现亮度的提高。
专利文献1:日本特开2014-175354号公报
然而,在专利文献1所公开的发光二极管中,存在如下问题:虽然通过将透明部件粘贴在基板的背面而稍微提高了亮度,但无法得到充分的亮度。
发明内容
本发明是鉴于这样的点而完成的,其目的在于,提供能够得到充分的亮度的发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片。
根据技术方案1所述的发明,提供发光二极管芯片的制造方法,其特征在于,该发光二极管芯片的制造方法具有如下的工序:晶片准备工序,准备如下的晶片:该晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层,在该层叠体层的正面上的由互相交叉的多条分割预定线划分的各区域中分别形成有LED电路,其中,所述层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层;第1透明基板粘贴工序,将内部形成有多个气泡的第1透明基板的正面粘贴在晶片的背面上而形成第1一体化晶片;第2透明基板粘贴工序,在实施了该第1透明基板粘贴工序之后,将第2透明基板的正面粘贴在该第1透明基板的背面上而形成第2一体化晶片;以及分割工序,沿着该分割预定线将该晶片与该第1透明基板和该第2透明基板一起切断而将该第2一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。
优选该第1透明基板和该第2透明基板由透明陶瓷、光学玻璃、蓝宝石以及透明树脂中的任意材料形成,使用透明粘接剂来实施该第1透明基板粘贴工序和该第2透明基板粘贴工序。
根据技术方案4所述的发明,提供发光二极管芯片,其特征在于,该发光二极管芯片具有:发光二极管,其在正面上形成有LED电路;内部具有多个气泡的第1透明部件,其正面粘贴在该发光二极管的背面上;以及第2透明部件,其正面粘贴在该第1透明部件的背面上。
关于本发明的发光二极管芯片,由于在LED的背面上粘贴有内部具有多个气泡的第1透明部件的正面,在该第1透明部件的背面上粘贴有第2透明部件的正面,所以光在第1透明部件和第2透明部件内复杂地折射而使关在第1透明部件和第2透明部件内的光减少,从第1透明部件和第2透明部件射出的光的量增大而使发光二极管芯片的亮度提高。
附图说明
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