[发明专利]位线的制作方法

权利要求书

1.一种用于动态随机处理存储器的位线，其特征在于，包含：

导电硅层；

含氮硅化钛/硅化钛层，接触该导电硅层；

以及

导电层，覆盖该含氮硅化钛/硅化钛层，

其中，该含氮硅化钛/硅化钛层包括含氮硅化钛和硅化钛，该含氮硅化钛具有梯度变化的氮浓度，且该氮浓度朝向远离该导电硅层的方向减少。

2.如权利要求1所述的用于动态随机处理存储器的位线，另包含：

晶体管，电连接该位线；

电容插塞，电连接该晶体管；以及

电容，电连接该电容插塞。

3.如权利要求1所述的用于动态随机处理存储器的位线，其中该导电层包含：氮化钛层、金属硅化物层和金属层。

4.一种半导体元件的制作方式，其特征在于，包含：

提供一基底，该基底上覆盖有一非晶硅层；

形成一氮化钛层覆盖并接触该非晶硅层；

形成一钛层覆盖该氮化钛层；以及

进行一加热制作工艺，将该氮化钛层转化成一含氮硅化钛层，

其中该含氮硅化钛层具有一第二氮浓度，该第二氮浓度为梯度变化，该第二氮浓度朝向远离该非晶硅层的方向减少。

5.如权利要求4所述的半导体元件的制作方式，其中在该加热制作工艺另包含将该钛层转化成一硅化钛层。

6.如权利要求5所述的半导体元件的制作方式，另包含形成一导电层覆盖该钛层。

7.如权利要求6所述的半导体元件的制作方式，另包含图案化该导电层、该硅化钛层、该含氮硅化钛层和该非晶硅层，以形成一导电线。

8.如权利要求7所述的半导体元件的制作方式，其中该导电线作为一动态随机处理存储器的一位线。

9.如权利要求4所述的半导体元件的制作方式，其中该氮化钛层具有一第一氮浓度，该第一氮浓度为梯度变化，该第一氮浓度从靠近该非晶硅层的方向朝向该钛层减少。

10.一种位线的制作方法，其特征在于，包含：

提供一腔室，该腔室内包含：

钛靶材，设置于该腔室的上壁；

载台，设置于该腔室的底面；

进行一预烧(burn-in)制作工艺，该预烧制作工艺包含：

通入氮气以及惰性气体于该腔室中，并且离子化氮气以及惰性气体以形成氮离子和惰性离子，使得氮离子和惰性离子撞击该钛靶材，以在该腔室的该上壁和该底面以及该钛靶材上形成一第一氮化钛层；

在该预烧制作工艺后，将一基底，放入该腔室的该载台上，该基底上覆有一导电硅层；

在该基底放入该腔室后，进行一沉积制作工艺，该沉积制作工艺包含：

通入惰性气体于该腔室中，并且离子化该惰性气体以形成惰性离子；

惰性离子撞击该第一氮化钛层以沉积一第二氮化钛层接触该导电硅层；以及

在形成该第二氮化钛层后，该惰性气体撞击该钛靶材，以沉积一钛层覆盖该第二氮化钛层；

形成一导电层覆盖该钛层；以及

进行一加热制作工艺，将该第二氮化钛层和该钛层与该导电硅层反应，以形成一含氮硅化钛/硅化钛层，

其中，该含氮硅化钛/硅化钛层包括含氮硅化钛和硅化钛，该含氮硅化钛具有梯度变化的氮浓度，且该氮浓度朝向远离该导电硅层的方向减少。

11.如权利要求10所述的位线的制作方法，其中在该沉积制作工艺时，未在该腔室中通入氮气。

12.如权利要求10所述的位线的制作方法，其中在该预烧制作工艺时，该腔室中没有基底。

13.如权利要求10所述的位线的制作方法，其中该第二氮化硅层的厚度和该钛层的厚度的比值小于三分之一。