[发明专利]位线的制作方法

说明书

本发明公开一种位线的制作方式，包含首先提供一基底，基底上覆盖有一非晶硅层，然后形成一氮化钛层覆盖并接触非晶硅层，之后形成一钛层覆盖氮化钛层，然后形成一导电层覆盖钛层，接着进行一加热制作工艺，将氮化钛层转化成一含氮硅化钛层并且将钛层转化为硅化钛层，然后再图案化导电层、硅化钛层、含氮硅化钛层和非晶硅层以形成一位线。

技术领域

本发明涉及一种位线的制作方法，特别是涉及利用氮化钛阻挡钛原子扩散进入导电硅的方法。

背景技术

动态随机存取存储器(dynamic random access memory,DRAM)等电子存储装置一直以来都是用来保存数据的重要来源。现有的动态随机存取存储器通常是由电容与晶体管构成，其电容一般会根据其充电状态来暂时性地存储数据。

上述电容与晶体管结构一般被称为存储单元。存储单元会排列成存储器阵列形式。而这些存储单元会通过一字符线(word line)与一位线(bit line)来定址，其中一者定址该存储胞的行位(column)，而另一者则定址该存储胞的列位(row)。

位线的制作方式包含形成多层的导电层相互堆叠，然而此多层的导电层却会在高温时发生金属原子扩散到另一导电层的现象，此扩散出去的金属原子在后续会造成位线的漏电问题。

发明内容

本发明的目的之一在于提供一种制作位线的改良方法，以解决上述现有技术的问题与缺点。

根据本发明的一优选实施例，一种用于动态随机处理存储器的位线，包含一导电硅层，一含氮硅化钛/硅化钛层接触导电硅层以及一导电层覆盖含氮硅化钛/硅化钛层。

根据本发明的另一优选实施例，一种半导体元件的制作方式，包含首先提供一基底，基底上覆盖有一非晶硅层，然后形成一氮化钛层覆盖并接触非晶硅层，之后形成一钛层覆盖氮化钛层，最后进行一加热制作工艺，将氮化钛层转化成一含氮硅化钛层。

根据本发明的另一优选实施例，一种位线的制作方法，包含首先提供一腔室，腔室内包含一钛靶材设置于腔室的上壁和一载台设置于腔室的底面，接着进行一预烧(burn-in)制作工艺，预烧制作工艺包含通入氮气以及惰性气体于腔室中，并且离子化氮气以及惰性气体以形成氮离子和惰性离子，使得氮离子和惰性离子撞击钛靶材，以在腔室的上壁和底面以及钛靶材上形成一第一氮化钛层，接续在预烧制作工艺后，将一基底，放入腔室的载台上，基底上覆有一导电硅层，之后在基底放入腔室后，进行一沉积制作工艺，沉积制作工艺包含通入惰性气体于腔室中，并且离子化惰性气体以形成惰性离子，然后惰性离子撞击第一氮化钛层以沉积一第二氮化钛层接触导电硅层，在形成第二氮化钛层后，惰性气体撞击钛靶材，以沉积一钛层覆盖第二氮化钛层，此时沉积制作工艺完成，接着形成一导电层覆盖钛层，最后进行一加热制作工艺，将第二氮化钛层和钛层与导电硅层反应，以形成一含氮硅化钛/硅化钛层。

附图说明

图1至图6为本发明的第一优选实施例所绘示的一种位线的制作方法的示意图；

图7是本发明的一种位线的制作方法的流程图；

图8为本发明的第二优选实施例所绘示的一种动态随机处理存储器的示意图。

主要元件符号说明

10 腔室 12 钛靶材

14 载台 16 第一氮化钛层

18 基底 20 导电硅层

22 第二氮化钛层 24 钛层

26 导电层 28 第三氮化钛层