[发明专利]一种多级孔同晶取代Ga-ZSM-5分子筛催化剂的制备方法

权利要求书

1.一种多级孔同晶取代Ga-ZSM-5分子筛催化剂的制备方法，其特征在于所述方法为：将正硅酸乙酯以硅的物质的量计、硝酸镓以镓的物质的量计、异丙醇铝以铝的物质的量计、四丙基氢氧化铵、十六烷基三甲氧基硅烷和乙醇按照物质的量比n(Si)：n(Ga)：n(Al)：n(TPAOH)：n(HTS)：n(C₂H₅OH)＝1：x：y：0.01～0.5：0.01～0.10：5～30的配比混合，其中x的取值为0.001～0.01，y的取值为0～0.01，在10～30℃下搅拌至形成凝胶；所得凝胶在10～30℃下干燥10～120h，然后将凝胶转移至聚四氟乙烯内衬A中，另取体积大于所述聚四氟乙烯内衬A的聚四氟乙烯内衬B并向其加入去离子水，再将转移入凝胶的聚四氟乙烯内衬A转移至加入去离子水的聚四氟乙烯内衬B中，使去离子水的水位于两内衬之间组合成组合内衬；将所述的组合内衬转移至不锈钢水热釜中，于100～250℃下晶化10～240h；晶化后的产物经过滤、洗涤、干燥后，然后在300～700℃下焙烧2～10h；将焙烧后的产物压片、破碎、过筛，选取20～40目大小的颗粒，即制得多级孔同晶取代Ga-ZSM-5分子筛催化剂。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述x的取值为0.001～0.006。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述y的取值为0～0.006。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述晶化温度为110～230℃。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述晶化时间为30～210h。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述晶化后的产物的干燥为在80～120℃下干燥2～12h。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述正硅酸乙酯以硅的物质的量计与四丙基氢氧化铵、十六烷基三甲氧基硅烷、乙醇的物质的量与之比为1：0.1～0.3：0.03～0.07：10～20。