[发明专利]一种半导体金属化层阻焊的方法在审
| 申请号： | 201810104199.0 | 申请日： | 2018-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN108493150A | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 田飞飞;张洪泽;张君直;周明 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体金属 可焊层 化层 阻焊 焊料球 电镀 溅射 蒸发 绝缘层 半导体表面 半导体基体 表面制备 湿法刻蚀 划片机 有效地 种子层 阻挡层 阻焊层 黏附层 互连 干法 烘干 划片 晶圆 涂胶 显影 制备 焊接 腐蚀 曝光 | ||
1.一种半导体金属化层阻焊的方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：
(1) 晶圆涂胶、曝光、显影、烘干；
(2) 采用干法或湿法刻蚀半导体基体；
(3) 利用或溅射、或蒸发、或PVD：Physical vapor deposition或CVD：Chemical vapordeposition、或电镀方法在半导体表面制备所需的绝缘层、黏附层、种子层、可焊层、阻挡层、保护可焊层；
(4) 对保护可焊层焊盘涂胶处理后将多余区域的保护可焊层腐蚀掉；
(5) 利用或溅射、或蒸发、或PVD：Physical vapor deposition或CVD：Chemical vapordeposition、或电镀方法在保护可焊层表面制备所需的阻焊层；
(6) 采用自动划片机划片；
(7) 选择合适的焊料球进行焊接互连。
2.根据权利要求1所述的一种半导体金属化层阻焊的方法，其特征在于：所述的阻焊层是金属层。
3.根据权利要求1所述的一种半导体金属化层阻焊的方法，其特征在于：所述的阻焊层是利用或溅射、或蒸发、或PVD：Physical vapor deposition或CVD：Chemical vapordeposition、或电镀方法。
4.根据权利要求1所述的一种半导体金属化层阻焊的方法，其特征在于：焊接所用的焊料球是锡基或铟基焊料球。
5.根据权利要求1所述的一种半导体金属化层阻焊的方法，其特征在于：所述的阻焊用金属层与锡基或铟基焊料球不发生润湿反应，如金属铬、钼、钛。
6.根据权利要求1所述的一种半导体金属化层阻焊的方法，其特征在于：所述的焊接互连可采用或热台焊接、或回流焊接、或真空焊接，应根据不同成分的焊料球合理控制焊接时间以及焊接温度工艺参数。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
