[发明专利]一种半导体金属化层阻焊的方法

说明书

本发明是一种半导体金属化层阻焊的方法，包括如下步骤：(1)晶圆涂胶、曝光、显影、烘干；(2)采用干法或湿法刻蚀半导体基体；(3)利用或溅射、或蒸发、或PVD或CVD、或电镀等方法在半导体表面制备所需的绝缘层、黏附层、种子层、可焊层、阻挡层、保护可焊层；(4)将多余区域的保护可焊层腐蚀掉；(5)利用或溅射、或蒸发、或PVD或CVD、或电镀方法在保护可焊层表面制备所需的阻焊层；(6)采用自动划片机划片；(7)选择焊料球进行焊接互连。优点：有效地解决了半导体金属化层与焊料球之间的阻焊问题；设计简单，可操作性强，适用性强，为半导体金属化层与焊料球间提供了一种切实可行的阻焊方法。

技术领域

本发明涉及的是一种半导体金属化层阻焊的方法，属于微互连焊点结构制备、新材料技术和半导体器件制造工艺技术领域，为半导体金属化层与焊料球之间提供了一种切实可行的阻焊方法。

背景技术

随着电子产品小型化、轻量化、薄型化、高性能、I/O端数的增加以及功能多样化的发展，传统的封装技术已不能满足高密度的要求。二维、三维堆叠技术的发展为高密度封装带来了希望。高密度的二维、三维堆叠技术常采用锡基或铟基焊球实现与半导体基体材料的电气互连，因此，对半导体基体上UBM (under bump metallization)焊盘上锡基或铟基焊球的阻焊问题是亟待解决的问题和挑战。本发明利用或溅射、或蒸发、或PVD(Physicalvapor deposition)或CVD(Chemical vapor deposition)、或电镀等方法在UBM焊盘上做一层金属阻焊层，从而解决了锡基或铟基焊球焊接过程中阻焊的问题，有效、可靠地实现电气互连。

发明内容

本发明提供的是一种半导体金属化层阻焊的方法，其目旨在为半导体金属化层与焊料球之间提供了一种切实可行的阻焊方法。

本发明的技术解决方案是：一种半导体金属化层阻焊的方法，包括如下步骤：

(1) 晶圆涂胶、曝光、显影、烘干；

(2) 采用干法或湿法刻蚀半导体基体；

(3) 利用或溅射、或蒸发、或PVD(Physical vapor deposition)或CVD(Chemicalvapor deposition)、或电镀方法在半导体表面制备所需的绝缘层、黏附层、种子层、可焊层、阻挡层、保护可焊层；

(4) 对保护可焊层焊盘涂胶处理后将多余区域的保护可焊层腐蚀掉；

(5) 利用或溅射、或蒸发、或PVD(Physical vapor deposition)或CVD(Chemicalvapor deposition) 、或电镀等方法在保护可焊层表面制备所需的阻焊层；

(6) 采用自动划片机划片;

(7) 选择合适的焊料球进行焊接互连。

本发明的优点：

1) 此方法有效地解决了半导体金属化层与焊料球之间的阻焊问题；

2) 对晶圆级半导体而言，本发明方法设计简单，可操作性强，操作过程简单、方便，适用范围广、适用性强，为半导体金属化层与焊料球之间提供了一种切实可行的阻焊方法。

附图说明

图1是半导体基体和UBM (under bump metallization) 层示意图。

图2是半导体基体和UBM (under bump metallization) 层实物图。

图3是焊料球焊接UBM后照片。

图4是实施例1中0.45μm 96.5Sn3.0Ag0.5Cu焊球采用真空炉240ºC焊接120s阻焊照片；图中：(a)是低倍照片；(b)是高倍照片。