[发明专利]具有倾斜栅电极的三维半导体存储器件

权利要求书

1.一种三维半导体存储器件，包括：

衬底，其包括单元阵列区域和接触区域；

堆叠结构，其包括顺序地堆叠在所述衬底上的栅电极；

垂直结构，其穿透所述堆叠结构；以及

单元接触插塞，其与所述接触区域中的所述栅电极的端部的上表面接触，

其中所述接触区域中的所述栅电极的所述端部的所述上表面相对于所述单元阵列区域中的所述衬底的上表面具有第一锐角，

其中每个所述单元接触插塞的下表面位于比与其连接的每个所述栅电极的下表面的水平面高的水平面处。

2.如权利要求1所述的三维半导体存储器件，其中所述栅电极包括最上面的栅电极，

其中所述堆叠结构还包括在所述栅电极之间的第一绝缘图案和在所述最上面的栅电极上的第二绝缘图案，以及

其中所述第二绝缘图案的上表面相对于所述单元阵列区域中的所述衬底的所述上表面位于比所述栅电极的所述端部的所述上表面更高的水平面处。

3.如权利要求1所述的三维半导体存储器件，其中所述衬底还包括邻近于所述接触区域的外围电路区域，以及

其中所述栅电极的所述端部的所述上表面的最上部在比所述外围电路区域中的所述衬底的上表面更高的水平面处。

4.如权利要求1所述的三维半导体存储器件，其中所述衬底还包括外围电路区域，所述接触区域设置在所述单元阵列区域与所述外围电路区域之间，

其中所述单元阵列区域中的所述衬底的所述上表面位于比所述外围电路区域中的所述衬底的上表面更低的水平面处，以及

其中所述接触区域中的所述衬底的上表面相对于所述单元阵列区域中的所述衬底的所述上表面具有第二锐角并且从所述外围电路区域中的所述衬底的所述上表面延伸到所述单元阵列区域中的所述衬底的所述上表面。

5.如权利要求1所述的三维半导体存储器件，其中所述接触区域中的所述栅电极的所述端部离包括所述单元阵列区域中的所述衬底的所述上表面的平面基本上等距。

6.如权利要求1所述的三维半导体存储器件，其中所述衬底还包括邻近于所述接触区域的外围电路区域，所述接触区域设置在所述单元阵列区域与所述外围电路区域之间。

7.如权利要求6所述的三维半导体存储器件，还包括：

外围栅电极，其在所述外围电路区域中；

源极/漏极区域，其在所述外围栅电极的相反侧的所述衬底中；以及

外围接触插塞，其连接到所述源极/漏极区域中的至少一个，

其中所述外围接触插塞的垂直长度小于所述堆叠结构的垂直长度。

8.如权利要求1所述的三维半导体存储器件，其中所述栅电极包括最下面的栅电极，

其中所述单元接触插塞包括连接到所述最下面的栅电极的端部的第一单元接触插塞，以及

其中所述第一单元接触插塞的垂直长度小于所述堆叠结构的垂直长度。

9.如权利要求1所述的三维半导体存储器件，其中所述栅电极包括最下面的栅电极、最上面的栅电极以及在所述最下面的栅电极与所述最上面的栅电极之间的中间栅电极，

其中所述单元接触插塞包括连接到所述最下面的栅电极的端部的第一单元接触插塞、以及连接到所述中间栅电极中的各个中间栅电极的端部的第二单元接触插塞，以及

其中所述第一单元接触插塞的垂直长度基本上等于所述第二单元接触插塞的垂直长度。

10.如权利要求1所述的三维半导体存储器件，其中所述栅电极包括最上面的栅电极，

其中所述衬底还包括外围电路区域，以及

其中所述堆叠结构还包括在所述最上面的栅电极上的最上面的绝缘图案。