[发明专利]被加工物的处理装置在审
申请号: | 201810106554.8 | 申请日: | 2018-02-02 |
公开(公告)号: | CN108389824A | 公开(公告)日: | 2018-08-10 |
发明(设计)人: | 有田毅彦;三森章祥;山口伸 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;徐飞跃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 第一区域 第二流路 第二区域 第一流路 流路组 流路 制冷剂 处理装置 第二阀组 第一阀组 方式配置 热输入量 配置 冷却台 调温 流动制冷剂 包围 被加工物 表面配置 分布变化 静电吸盘 冷却单元 配管系统 冷却 | ||
1.一种被加工物的处理装置,其特征在于,包括:
腔室主体;
设置在所述腔室主体的内部的用于载置所述被加工物的载置台;
输出制冷剂的冷却单元;和
与所述冷却单元连接的用于流动所述制冷剂的配管系统,
所述载置台包括:
与所述配管系统连接,流动经由该配管系统被供给来的所述制冷剂的冷却台;和
设置在所述冷却台之上的静电吸盘,
所述冷却台包括第一区域、第二区域和第三区域,以及与所述配管系统连接的用于流动所述制冷剂的流路组,
所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域沿所述静电吸盘的表面配置,
所述第一区域在从所述静电吸盘的上方看时配置在所述冷却台的中央,
所述第二区域在从所述静电吸盘的上方看时以包围所述第一区域的方式配置,
所述第三区域在从所述静电吸盘的上方看时以包围所述第一区域和所述第二区域的方式配置,
所述流路组包括第一流路、第二流路和第三流路,
所述第一流路配置在所述第一区域,
所述第二流路配置在所述第二区域,
所述第三流路配置在所述第三区域,
所述配管系统包括第一阀组和第二阀组,
在所述流路组中,所述第一流路与所述第二流路之间、该第二流路与所述第三流路之间均经由所述第一阀组连接,
所述冷却单元与所述流路组经由所述第二阀组连接。
2.如权利要求1所述的被加工物的处理装置,其特征在于:
所述第一阀组包括第一阀和第二阀,
所述第一流路与所述第二流路经由所述第一阀连接,
所述第二流路与所述第三流路经由所述第二阀连接。
3.如权利要求2所述的被加工物的处理装置,其特征在于:
所述第一阀的开度和所述第二阀的开度可变。
4.如权利要求1~3中任一项所述的被加工物的处理装置,其特征在于:
随着所述第二阀组的开闭状态的切换,所述冷却单元与所述流路组之间的制冷剂的流路被切换。
5.如权利要求1~4中任一项所述的被加工物的处理装置,其特征在于:
所述第二阀组包括第三阀、第四阀、第五阀和第六阀,
所述冷却单元与所述第三流路经由所述第三阀连接,
所述冷却单元与所述第一流路经由所述第四阀连接,
位于所述第三阀与所述第三流路之间的流路与位于所述第四阀与所述冷却单元之间的流路经由所述第五阀连接,
位于所述冷却单元与所述第三阀之间的流路与位于所述第四阀与所述第一流路之间的流路经由所述第六阀连接。
6.如权利要求1~5中任一项所述的被加工物的处理装置,其特征在于:
还包括压力调节装置和传热空间,
所述传热空间设置在所述静电吸盘与所述冷却台之间,沿所述静电吸盘延伸,
所述压力调节装置与所述传热空间连接,用于调节该传热空间内的压力。
7.如权利要求6所述的被加工物的处理装置,其特征在于:
所述传热空间被气密地分隔为多个区域,
所述压力调节装置与所述多个区域的每一个连接,用于调节该多个区域各自的内部的压力。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造