[发明专利]被加工物的处理装置在审
申请号: | 201810106554.8 | 申请日: | 2018-02-02 |
公开(公告)号: | CN108389824A | 公开(公告)日: | 2018-08-10 |
发明(设计)人: | 有田毅彦;三森章祥;山口伸 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;徐飞跃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 第一区域 第二流路 第二区域 第一流路 流路组 流路 制冷剂 处理装置 第二阀组 第一阀组 方式配置 热输入量 配置 冷却台 调温 流动制冷剂 包围 被加工物 表面配置 分布变化 静电吸盘 冷却单元 配管系统 冷却 | ||
本发明提供一种能够进行与热输入量的分布变化相对应的调温的技术。在一个实施方式的处理装置中,流动制冷剂的冷却台包含第一区域~第三区域和制冷剂的流路组,第一区域~第三区域沿冷却台上的静电吸盘的表面配置,第一区域配置在冷却台的中央,第二区域以包围第一区域的方式配置,第三区域以包围第一区域和第二区域的方式配置,流路组包括第一流路~第三流路,第一流路配置在第一区域,第二流路配置在第二区域,第三流路配置在第三区域,制冷剂的配管系统包括第一阀组和第二阀组,第一流路与第二流路之间和第二流路与第三流路之间均经由第一阀组连接,冷却单元与流路组经由第二阀组连接。由此,能够进行与热输入量的分布的变化相对应的调温。
技术领域
本发明的实施方式涉及用于在腔室内处理被加工物的处理装置。
背景技术
存在比较大的热输入源的近年来的等离子体蚀刻处理中,为了将晶片的温度保持为均匀、低温且一定,提出了能够期待高热传递的直膨式的调温系统。特别是,提出了能够使设置在载置晶片的载置台(蒸发器)中的制冷剂的流路形状阶梯式变化,使蒸发器内的热传递均匀的技术。
在专利文献1中公开了涉及等离子体处理装置和等离子体处理方法的技术。在专利文献1所公开的技术中,目的在于高速且面内均匀地控制在大量热输入的蚀刻处理时的半导体晶片的温度,在试样台形成环状的制冷剂流路。由于制冷剂的热传递率从制冷剂供给口向制冷剂排出口较大地变化,因此为了使制冷剂的热传递率在制冷剂流路内一定,而成为制冷剂流路的截面积从第一流路向第二流路增加的构造。
专利文献2公开了涉及等离子体处理装置的技术。在专利文献2公开的技术中,目的在于高速、面内均匀且宽温度范围地控制因高晶片偏置电力的施加而引起的大量热输入的蚀刻时的晶片的温度,以设置在静电吸附电极中的制冷剂流路为蒸发器,通过将该制冷剂流路和压缩机、冷凝器、第一膨胀阀连接而构成直膨式的冷冻循环。并且,在静电吸附电极与压缩机之间的制冷剂流路设置第二膨胀阀来调节制冷剂的流量,使制冷剂流路为薄壁圆筒构造。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2008-186856号公报
专利文献2:日本特开2012-28811号公报
发明内容
发明想要解决的技术问题
但是,在上述现有的技术中,制冷剂的流路的构造被预先确定,因此难以实现与热输入量的分布的变化相对应的调温。因此,需要能够进行与热输入量的分布的变化相对应的调温的技术。
用于解决问题的技术方案
在一个实施方式中提供一种被加工物的处理装置。被加工物的处理装置包括:腔室主体;设置在腔室主体的内部的用于载置被加工物的载置台;输出制冷剂的冷却单元;和与冷却单元连接的用于流动制冷剂的配管系统。载置台包括:与配管系统连接,流动经由该配管系统被供给来的制冷剂的冷却台;和设置在冷却台之上的静电吸盘。冷却台包括第一区域、第二区域和第三区域,以及与配管系统连接的用于流动制冷剂的流路组,第一区域、第二区域和第三区域沿静电吸盘的表面配置,第一区域在从静电吸盘的上方看时配置在冷却台的中央,第二区域在从静电吸盘的上方看时以包围第一区域的方式配置,第三区域在从静电吸盘的上方看时以包围第一区域和第二区域的方式配置,流路组包括第一流路、第二流路和第三流路,第一流路配置在第一区域,第二流路配置在第二区域,第三流路配置在第三区域,配管系统包括第一阀组和第二阀组,在流路组中,第一流路与第二流路之间和该第二流路与第三流路之间均经由第一阀组连接,冷却单元与流路组经由第二阀组连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造