[发明专利]三维闪存器件的制造方法

权利要求书

1.一种三维闪存器件的制造方法，用于制造向具有高纵横比的间隙填充作为无空隙的介电质的三维闪存器件，其特征在于，包括：

步骤(a)，通过在基板上以多层方式层叠用于控制栅极的层间绝缘膜和牺牲层来形成成型结构体；

步骤(b)通过对上述成型结构体进行蚀刻来形成间隙；

步骤(c)，在上述层间绝缘膜及牺牲层的内壁形成栅极绝缘膜；

步骤(d)，在上述栅极绝缘膜内壁形成通道；

步骤(e)，通过高压致密化工序来向上述通道的内部填充介电填料；以及

步骤(f)，去除上述牺牲层，

上述步骤(e)包括：

步骤(e1)，利用聚硅氮烷溶液来在上述通道的内部涂敷旋涂玻璃绝缘膜；

步骤(e2)，为了去除上述绝缘膜的溶剂成分，在规定温度下实施预烧制；以及

步骤(e3)，在高压状态下执行作为湿式热处理的热处理，

用于填充上述介电质的介电填料通过低温高压热处理来进行填充，

上述低温高压热处理在1～20气压条件及100～500℃的温度条件下执行，

上述低温高压热处理通过利用水来执行30分钟时间。

2.根据权利要求1所述的三维闪存器件的制造方法，其特征在于，上述介电填料为氧化膜。

3.根据权利要求1所述的三维闪存器件的制造方法，其特征在于，上述步骤(e2)在50～350℃的范围内执行20分钟～40分钟。