[发明专利]一种发光二极管电极装置在审
| 申请号： | 201810107474.4 | 申请日： | 2018-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN108461597A | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 吴小明;刘军林;江风益 | 申请（专利权）人： | 南昌大学;南昌黄绿照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 赵艾亮 |
| 地址： | 330027 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电层 电流扩展层 发光二极管电极 欧姆接触金属层 发光层 电光转换效率 制造成本 | ||
1.一种发光二极管电极装置，其特征在于：所述发光二极管电极装置包括N电极、N型半导体导电层、发光层、P型半导体导电层和P电极；所述N电极、N型半导体导电层、发光层、P型半导体导电层和P电极依次接触；
所述N电极包括N电极电流扩展层和N电极欧姆接触金属层，N电极电流扩展层与N型半导体导电层直接接触；
所述P电极包括P电极电流扩展层和P电极欧姆接触金属层，P电极电流扩展层与P型半导体导电层直接接触。
2.根据权利要求1所述的发光二极管电极装置，其特征在于：所述的N电极电流扩展层和P电极电流扩展层厚度为0.01nm-100nm。
3.根据权利要求1所述的发光二极管电极装置，其特征在于：
所述N型半导体导电层为N型AlxGayIn1-x-yAszP1-z或N型AlxGayIn1-x-yN，0≤x≤1，0≤y≤1,0≤z≤1；
所述发光层为AlxGayIn1-x-yP或者AlxGayIn1-x-yN，0≤x≤1，0≤y≤1；
所述P型半导体导电层为P型AlxGayIn1-x-yPzAs1-z或P型AlxGayIn1-x-yN，0≤x≤1，0≤y≤1,0≤z≤1。
4.根据权利要求3所述的发光二极管电极装置，其特征在于：
与所述N型AlxGayIn1-x-yN接触的N电极电流扩展层材料为金属材料；
与所述P型AlxGayIn1-x-yN接触的P电极电流扩展层材料为金属材料。
5.根据权利要求3所述的发光二极管电极装置，其特征在于：
与所述N型AlxGayIn1-x-yN接触的N电极电流扩展层材料为化合物；
与所述P型AlxGayIn1-x-yN接触的P电极电流扩展层材料为化合物。
6.根据权利要求3所述的发光二极管电极装置，其特征在于：
与所述N型AlxGayIn1-x-yAszP1-z接触的N电极电流扩展层材料为金属材料；
与所述P型AlxGayIn1-x-yPzAs1-z接触的P电极电流扩展层材料为金属材料。
7.根据权利要求3所述的发光二极管电极装置，其特征在于：
与所述N型AlxGayIn1-x-yAszP1-z接触的N电极电流扩展层材料为化合物；
与所述P型AlxGayIn1-x-yPzAs1-z接触的P电极电流扩展层材料为化合物。
8.根据权利要求1-7任一项所述的发光二极管电极装置，其特征在于，所述N型半导体导电层采用N-GaN结构；所述发光层采用InGaN/GaN多量子阱结构；所述P型半导体导电层采用P-GaN结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南昌大学;南昌黄绿照明有限公司，未经南昌大学;南昌黄绿照明有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810107474.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种发光二极管及其制备方法
- 下一篇：稳固型LED灯的封装结构
