[发明专利]一种发光二极管电极装置

说明书

本发明提供了一种发光二极管电极装置，该发光二极管电极装置包括N电极、N型半导体导电层、发光层、P型半导体导电层和P电极；N电极、N型半导体导电层、发光层、P型半导体导电层和P电极依次接触；其中N电极包括N电极电流扩展层和N电极欧姆接触金属层，N电极电流扩展层与N型半导体导电层直接接触；其中P电极包括P电极电流扩展层和P电极欧姆接触金属层，P电极电流扩展层与P型半导体导电层直接接触。本发明有利于提高器件的电光转换效率，方法简单，制造成本低。

技术领域

本发明涉及发光二极管领域，尤其涉及一种发光二极管电极装置。

背景技术

近年来，材料制备和器件制造技术的进步，使发光二极管(LED)的发光效率得到了极大提高。与传统的白炽灯和荧光灯相比，LED具有节能、环保以及寿命长等优点。因此，LED广泛应用于各种照明和显示。

为减少电极挡光，LED电极在芯片上面积占比通常设计得尽可能小。但这样使电极之间间隔较大，使电流无法在电极间均匀分布。为使电流扩展更为均匀。

目前，LED器件的横向扩展往往不好，原因在于电极之间的水平间隔为半导体薄膜厚度的数十倍，导致电流在在纵向上，已经到达器件的有源区时，横向仍远未达到均匀的程度。因此，改善电流扩展的措施旨在减少电流横向扩展的电阻，或增加电流纵向流动的电阻。现有技术通过在外延结构中增加n-GaN/u-GaN(不掺杂GaN，电阻大))的交叠结构，其原理都是在半导体材料内部实现电流扩展层的改善，外延结构厚度需要增加较大，生长成本增加较多。另外，增加的体电阻较大，器件的工作电压升高较多。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种发光二极管电极装置，该电极装置在金属电极和半导体的界面改善电流扩展，金属与半导体界面的电导性易于调控，仅需很薄的一层金属，就可以实现电流扩展的显著改善，且器件电压的升高幅度较小。

本发明通过以下技术方案实现：

一种发光二极管电极装置，该发光二极管电极装置包括N电极、N型半导体导电层、发光层、P型半导体导电层和P电极；所述N电极、N型半导体导电层、发光层、P型半导体导电层和P电极依次接触；

所述N电极包括N电极电流扩展层和N电极欧姆接触金属层，N电极电流扩展层与 N型半导体导电层直接接触；

所述P电极包括P电极电流扩展层和P电极欧姆接触金属层，P电极电流扩展层与P型半导体导电层直接接触。

其中，N电极电流扩展层和P电极电流扩展层厚度为0.01nm-100nm。

其中，N型半导体导电层为N型Al_xGa_yIn_1-x-yAs_zP_1-z或N型Al_xGa_yIn_1-x-yN，0≤x≤1，0≤y≤1, 0≤z≤1；发光层为Al_xGa_yIn_1-x-yP或者Al_xGa_yIn_1-x-yN，0≤x≤1，0≤y≤1；P型半导体导电层为P 型Al_xGa_yIn_1-x-yP_zAs_1-z或P型Al_xGa_yIn_1-x-yN，0≤x≤1，0≤y≤1,0≤z≤1。

其中，与N型Al_xGa_yIn_1-x-yN接触的N电极电流扩展层材料为金属材料；与P型Al_xGa_yIn_1-x-yN接触的P电极电流扩展层材料为金属材料。