[发明专利]一种采用IGBT控制的无级可调调容装置在审
| 申请号： | 201810110760.6 | 申请日： | 2018-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN108306308A | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 杨东华;刘益民;李二伟 | 申请（专利权）人： | 杭州英菲菱集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H02J3/18 | 分类号： | H02J3/18 |
| 代理公司： | 北京纽乐康知识产权代理事务所(普通合伙) 11210 | 代理人： | 王珂 |
| 地址： | 311100 浙江省杭州市余杭区余*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电力电容 滤波电路 电感 功率因数 输入模块 无功功率 无级调节 容装置 并机 滤波 无级 无功补偿装置 并联连接 计算电路 模块连接 显示电路 续流模块 智能电容 体积小 重量轻 扩容 内置 反馈 响应 | ||
1. 一种采用IGBT控制的无级可调调容装置，其特征在于，包括滤波输入模块Ui，所述滤波输入模块Ui连接有滤波电路，所述滤波电路连接有S1-IGBT开关模块，所述S1-IGBT开关模块连接有电感L2，所述电感L2连接电力电容C2，所述电力电容C2与滤波电路连接，其中，所述S1-IGBT开关模块与电力电容C2之间并联连接有S2-IGBT 续流模块。
2.根据权利要求1所述的一种采用IGBT控制的无级可调调容装置，其特征在于，所述滤波电路包括电感L1，所述电感L1的左端连接滤波输入模块Ui的上端，所述电感L1的右端分别连接电容C1的上端和S1-IGBT开关模块的左端，所述电容C1的下端连接滤波输入模块Ui的下端。
3.根据权利要求1所述的一种采用IGBT控制的无级可调调容装置，其特征在于，所述S1-IGBT开关模块包括晶体管IGBT1，所述晶体管IGBT1的集电极分别连接二极管VD1的负极、电容VC1的左端和电感L1的右端，所述晶体管IGBT1的发射极分别连接晶体管IGBT2的发射极、二极管VD1的正极、二极管VD2的正极、电容VC1的右端和电容VC2的左端，所述晶体管IGBT2的集电极分别连接二极管VD2的负极、电容VC2的右端和电感L2的左端。
4. 根据权利要求1所述的一种采用IGBT控制的无级可调调容装置，其特征在于，所述S2-IGBT 续流模块包括晶体管IGBT3，所述晶体管IGBT3的集电极分别连接二极管VD3的负极、电容VC3的上端和电感L2的左端，所述晶体管IGBT3的发射极分别连接晶体管IGBT4的发射极、二极管VD3的正极、二极管VD4的正极、电容VC3的下端和电容VC4的上端，所述晶体管IGBT4的集电极分别连接二极管VD4的负极、电容VC4的下端和电力电容C2的下端。
5.根据权利要求1所述的一种采用IGBT控制的无级可调调容装置，其特征在于，所述电感L2的右端连接电力电容C2的上端，所述电力电容C2的下端连接电容C1的下端。
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