[发明专利]一种采用IGBT控制的无级可调调容装置在审

专利信息
申请号: 201810110760.6 申请日: 2018-02-05
公开(公告)号: CN108306308A 公开(公告)日: 2018-07-20
发明(设计)人: 杨东华;刘益民;李二伟 申请(专利权)人: 杭州英菲菱集成电路有限公司
主分类号: H02J3/18 分类号: H02J3/18
代理公司: 北京纽乐康知识产权代理事务所(普通合伙) 11210 代理人: 王珂
地址: 311100 浙江省杭州市余杭区余*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 电力电容 滤波电路 电感 功率因数 输入模块 无功功率 无级调节 容装置 并机 滤波 无级 无功补偿装置 并联连接 计算电路 模块连接 显示电路 续流模块 智能电容 体积小 重量轻 扩容 内置 反馈 响应
【说明书】:

发明公开了一种采用IGBT控制的无级可调调容装置,包括滤波输入模块Ui,滤波输入模块Ui连接有滤波电路,滤波电路连接有S1‑IGBT开关模块,所述S1‑IGBT开关模块连接有电感L2,所述电感L2连接电力电容C2,所述电力电容C2与滤波电路连接,其中,所述S1‑IGBT开关模块与电力电容C2之间并联连接有S2‑IGBT续流模块。本发明的有益效果:本发明可根据功率因数PID反馈无级调节无功功率,达到功率因数恒定为1的目的,响应速度ms级;本发明还具有控制简单、体积小、重量轻、成本低以及无级调节的特点,同时能够适用于各种不同场合的实用性强的无功补偿装置,具有适用性强的优点;本装置内置无功功率计算电路,控制和显示电路,可多台并机扩容或和智能电容并机减低成本。

技术领域

本发明涉及无级可调调容装置无功补偿技术领域,具体来说,涉及一种采用IGBT控制的无级可调调容装置。

背景技术

目前,在电力领域,都必须配置无功补偿设备,目前市面常用的无功补偿设备有复合开关、同步开关投切电容器方案、静止无功发生器(SVG)等方式,复合开关、同步开关投切电容器方案结构简单但响应速度慢(15秒左右),调节有级,功率因数只能控制在0.95左右;静止无功发生器结构复杂、成本高、有严重谐波;都存在一定的弊端,已不能满足市场的需求。

发明内容

针对相关技术中的上述技术问题,本发明提出一种采用IGBT控制的无级可调调容装置,能够克服现有技术的上述不足。

为实现上述技术目的,本发明的技术方案是这样实现的:

一种采用IGBT控制的无级可调调容装置,包括滤波输入模块Ui,所述滤波输入模块Ui连接有滤波电路,所述滤波电路连接有S1-IGBT开关模块,所述S1-IGBT开关模块连接有电感L2,所述电感L2连接电力电容C2,所述电力电容C2与滤波电路连接,其中,所述S1-IGBT开关模块与电力电容C2之间并联连接有S2-IGBT 续流模块。

进一步的,所述滤波电路包括电感L1,所述电感L1的左端连接滤波输入模块Ui的上端,所述电感L1的右端分别连接电容C1的上端和S1-IGBT开关模块的左端,所述电容C1的下端连接滤波输入模块Ui的下端。

进一步的,所述S1-IGBT开关模块包括晶体管IGBT1,所述晶体管IGBT1的集电极分别连接二极管VD1的负极、电容VC1的左端和电感L1的右端,所述晶体管IGBT1的发射极分别连接晶体管IGBT2的发射极、二极管VD1的正极、二极管VD2的正极、电容VC1的右端和电容VC2的左端,所述晶体管IGBT2的集电极分别连接二极管VD2的负极、电容VC2的右端和电感L2的左端。

进一步的,所述S2-IGBT 续流模块包括晶体管IGBT3,所述晶体管IGBT3的集电极分别连接二极管VD3的负极、电容VC3的上端和电感L2的左端,所述晶体管IGBT3的发射极分别连接晶体管IGBT4的发射极、二极管VD3的正极、二极管VD4的正极、电容VC3的下端和电容VC4的上端,所述晶体管IGBT4的集电极分别连接二极管VD4的负极、电容VC4的下端和电力电容C2的下端。

进一步的,所述电感L2的右端连接电力电容C2的上端,所述电力电容C2的下端连接电容C1的下端。

本发明的有益效果:本发明可根据功率因数PID反馈无级调节无功功率,达到功率因数恒定为1的目的,响应速度ms级;本发明还具有控制简单、体积小、重量轻、成本低以及无级调节的特点,同时能够适用于各种不同场合的实用性强的无功补偿装置,具有适用性强的优点;本装置内置无功功率计算电路,控制和显示电路,可多台并机扩容或和智能电容并机减低成本。

附图说明

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