[发明专利]一种改变多晶电阻阻值的方法在审
| 申请号： | 201810113551.7 | 申请日： | 2018-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN108321147A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 赵鹏辉;王立芳 | 申请（专利权）人： | 华大半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅;李镝的 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电阻 多晶 金属硅化物阻挡层 掩膜版 光罩 减小 | ||
1.一种改变多晶电阻阻值的方法，包括：
确定需要改变阻值的多晶电阻的位置；以及
修改用于所述多晶电阻的金属硅化物阻挡层掩膜版的光罩图形。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，修改用于所述多晶电阻的金属硅化物阻挡层掩膜版的光罩图形包括缩小所述金属硅化物阻挡层掩膜版的光罩图形的面积。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，修改用于所述多晶电阻的金属硅化物阻挡层掩膜版的光罩图形包括使所述金属硅化物阻挡层掩膜版光罩图形从电阻端头所在的侧面向中间收缩。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，修改用于所述多晶电阻的金属硅化物阻挡层掩膜版的光罩图形包括在所述金属硅化物阻挡层掩膜版光罩图形中形成一个或多个窗口。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述一个或多个窗口是均匀分布在所述多晶电阻上的多个矩形窗口。
6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述一个或多个窗口是纵向贯穿金属硅化物阻挡层掩膜版光罩图形的一个或多个矩形。
7.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述一个或多个窗口是横向贯穿金属硅化物阻挡层掩膜版光罩图形的一个或多个矩形。
8.如权利要求2-7中任一项所述的方法，其特征在于，还包括在多晶电阻上至少部分地形成金属硅化物。
9.一种多晶电阻，其特征在于，包括：
用于提高多晶电阻的电阻值的高阻注入区；以及
用于降低多晶电阻的电阻值的金属硅化物，所述金属硅化物至少接触部分所述高阻注入区。
10.如权利要求9所述的多晶电阻，其特征在于，所述金属硅化物阻挡层覆盖所述高阻注入区的两端。
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