[发明专利]一种投影物镜和光刻曝光系统

说明书

本发明公开了一种投影物镜和光刻曝光系统。该投影物镜包括沿光路依次设置的第一透镜组、第二透镜组和第三透镜组，第一透镜组包括沿光路依次设置的第一子透镜组和第二子透镜组，第三透镜组包括沿光路依次设置的第三子透镜组和第四子透镜组，投影物镜满足以下关系式：0.3F2/F10.8；0.1F2/F30.4；0.2F1/F30.6；0.1|f1/f2|0.4；‑0.5f3/f4‑0.2。本发明实施例提供的投影物镜和光刻曝光系统，可以解决投影物镜的投影视场较小，同时不能兼容汞灯光源和LED光源的问题，实现较好像质的宽光谱和大视场的物镜投影，增加曝光系统的曝光视场，提高光刻机的光刻产率。

技术领域

本发明实施例涉及半导体封装领域，尤其涉及一种投影物镜和光刻曝光系统。

背景技术

随着半导体封装领域的高速发展，对制造集成电路芯片的光刻曝光系统的分辨率和产率提出了越来越高的要求，产率的提高与曝光视场的大小直接相关，所以增大曝光视场是显著提高产率的最有效途径。

目前的光刻曝光系统中采用的投影物镜的曝光视场通常较小，集成电路芯片的产率不能满足日益增长的生产量的要求。而且，现有技术中的投影物镜对于不同波长的光不能很好地校正色差和单色像差，导致其所适用的曝光波长通常不能覆盖ghi三线波长，不能兼容发光二极管(Light Emitting Diode，LED)光源和汞灯光源，使得曝光系统的曝光光谱较窄。

发明内容

本发明提供一种投影物镜和光刻曝光系统，以实现宽光谱大视场投影，增加光刻曝光系统的产率。

第一方面，本发明实施例提供了一种投影物镜，包括沿光路依次设置的第一透镜组、第二透镜组和第三透镜组，所述第一透镜组包括沿光路依次设置的第一子透镜组和第二子透镜组，所述第三透镜组包括沿光路依次设置的第三子透镜组和第四子透镜组，所述投影物镜满足以下关系式：

0.3F2/F10.8；

0.1F2/F30.4；

0.2F1/F30.6；

0.1|f1/f2|0.4；

-0.5f3/f4-0.2；

其中，所述第一透镜组、所述第二透镜组和所述第三透镜组的焦距分别为F1、F2和F3，所述第一子透镜组和所述第二子透镜组的焦距分别为f1和f2，所述第三子透镜组和所述第四子透镜组的焦距分别为f3和f4。

第二方面，本发明实施例还提供了一种光刻曝光系统，包括如第一方面任一所述的投影物镜，还包括光源模块，第一工作台以及第二工作台；

所述光源模块用于出射曝光光信号；所述第一工作台位于所述光源模块出射所述曝光光信号一侧，用于放置掩模板；所述投影物镜位于所述第一工作台远离所述光源模块一侧，用于聚焦曝光光信号至像面；所述第二工作台位于所述投影物镜远离所述第一工作台一侧，用于放置曝光基片。

本发明实施例提供的投影物镜和光刻曝光系统，通过沿光路依次设置第一透镜组、第二透镜组和第三透镜组，其中，第一透镜组包括沿光路依次设置的第一子透镜组和第二子透镜组，第三透镜组包括沿光路依次设置的第三子透镜组和第四子透镜组，并通过各透镜组和子透镜组的焦距的配合，可以解决投影物镜的投影视场较小，同时不能兼容汞灯光源和LED光源的问题，实现较好像质的宽光谱和大视场的物镜投影，增加曝光系统的曝光视场，提高光刻机的光刻产率。

附图说明

图1是本发明实施例一提供的一种投影物镜的结构示意图；

图2是本发明实施例一提供的第二透镜组的结构示意图；

图3是本发明实施例提供的另一种投影物镜的结构示意图；

图4是本发明实施例二提供的一种投影物镜的结构示意图；