[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示面板及其制造方法在审
申请号: | 201810115232.X | 申请日: | 2018-02-06 |
公开(公告)号: | CN108333844A | 公开(公告)日: | 2018-07-27 |
发明(设计)人: | 徐海峰;史大为;彭利满;王文涛;杨璐;姚磊;王金锋;闫雷;薛进进;候林;闫芳;司晓文;满志金;侯耀达;李伊;赵丽珍;王磊 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 牛南辉;李峥 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 绝缘层 衬底 源层 投影 第一电极 阵列基板 第二电极 显示面板 栅极电极 不重叠 制造 | ||
1.一种阵列基板:包括:
衬底;
在所述衬底上的有源层;
在所述有源层上的第一绝缘层;
在所述第一绝缘层上的栅极电极和第一电极,其中,所述第一电极在所述衬底上的投影与所述有源层在所述衬底上的投影不重叠;
在所述第一电极上的第三绝缘层,所述第三绝缘层在所述衬底上的投影与所述有源层在所述衬底上的投影不重叠;
在所述第三绝缘层上的第二电极;以及
在所述栅极电极和所述第二电极上的第二绝缘层。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述有源层包括多晶硅。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述栅极电极和所述第一电极同层设置。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述第二绝缘层还覆盖所述第三绝缘层和所述第二电极。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,还包括:设置在所述第二绝缘层上的源/漏极电极,所述源/漏极电极通过过孔与所述有源层接触;
在所述源/漏极电极和所述第二绝缘层上的平坦化层。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,还包括:在所述平坦化层上的像素定义层和所述像素定义层所限定的像素发光单元,其中,
所述像素发光单元包括:在所述平坦化层上的第三电极;
在所述第三电极上的发光层;
在所述发光层上的第四电极。
7.一种显示面板,包括根据权利要求1-6中任一项所述的阵列基板。
8.一种阵列基板的制造方法,包括:在衬底上形成有源层;
在所述有源层上形成第一绝缘层;
在所述第一绝缘层上形成栅极电极和第一电极,其中,所述第一电极在所述衬底上的投影与所述有源层在所述衬底上的投影不重叠;
在所述第一电极上形成第三绝缘层,其中,所述第三绝缘层在所述衬底上的投影与所述有源层在所述衬底上的投影不重叠;
在所述第三绝缘层上形成第二电极;
在所述栅极电极和所述第二电极上形成第二绝缘层。
9.根据权利要求8所述的阵列基板的制造方法,其中,形成所述第三绝缘层包括:
在所述栅极电极和所述第一电极上形成第三绝缘材料层;
至少去除所述第三绝缘材料层在所述衬底上的投影与有源层在所述衬底上的投影相重叠的部分,以形成所述第二绝缘层。
10.根据权利要求9所述的阵列基板的制造方法,其中,所述有源层包括多晶硅,所述方法还包括:在形成所述第二绝缘层之后,对所述多晶硅进行氢化处理。
11.根据权利要求10所述的阵列基板的制造方法,其中,所述氢化处理包括:在氢气气氛中进行退火。
12.根据权利要求8所述的阵列基板的制造方法,其中,形成所述栅极电极和所述第一电极包括:
在所述有源层上形成导电层;
对所述导电层进行构图,以形成所述栅极电极和所述第一电极。
13.根据权利要求8所述的阵列基板的制造方法,还包括:
在所述第二绝缘层上形成源/漏极电极,所述源/漏极电极通过过孔与所述有源层接触;
在所述源/漏极电极和所述第二绝缘层上形成平坦化层。
14.根据权利要求13所述的阵列基板的制造方法,还包括:
在所述平坦化层上形成像素定义层和所述像素定义层所限定的像素发光单元,其中,形成所述像素发光单元包括:
在所述平坦化层上形成第三电极;
在所述第三电极上形成发光层;
在所述发光层上形成第四电极。
15.一种显示面板的制造方法,包括根据权利要求8-14中任一项所述的阵列基板的制造方法。
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