[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供介质层，所述介质层包括第一槽区和若干第二槽区，第一槽区和第二槽区相互分立，第一槽区位于相邻的第二槽区之间，第二槽区的宽度大于第一槽区的宽度；

在第二槽区中获取若干分立的接触孔区；

根据接触孔区的位置，获取位于第二槽区中的第二槽修正区，所述第二槽修正区含盖接触孔区，第二槽修正区的宽度小于第二槽区的宽度；

在介质层第二槽修正区和第一槽区上分别形成牺牲层；

在介质层上形成第一侧墙和第二侧墙，第一侧墙位于第一槽区上牺牲层沿第一槽区宽度方向的两侧侧壁，第二侧墙位于第二槽修正区上牺牲层沿第二槽修正区宽度方向的两侧侧壁；

在第二侧墙暴露出的第二槽区上形成阻挡层，且阻挡层的边缘至相邻的第一槽区上牺牲层边缘的距离等于第一侧墙和第二侧墙之间的最小距离；

形成阻挡层后，去除牺牲层；

去除牺牲层后，以阻挡层、第一侧墙和第二侧墙为掩膜刻蚀介质层，在第一侧墙两侧的介质层中形成第一凹槽，在介质层第二槽修正区中形成第二凹槽；

所述第二槽修正区的宽度等于第一槽区的宽度；或者，所述第二槽修正区的宽度小于或大于第一槽区的宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二槽修正区的宽度为第一槽区的宽度的95％～105％。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二槽修正区包括连接区和若干分立的孔修正区，孔修正区的延伸方向与第二槽区的长度方向平行，所述若干孔修正区沿第二槽区的宽度方向在第二槽区边缘的投影相互分立，所述若干孔修正区沿第二槽区的长度方向在第二槽区边缘的投影相互分立；所述连接区的两端分别与孔修正区连接，所述孔修正区在第二槽区的长度方向上分别位于连接区的两侧。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述孔修正区的数量为两个；所述两个孔修正区分别为第一孔修正区和第二孔修正区；第一孔修正区和第二孔修正区的延伸方向与第二槽区的长度方向平行；连接区的两端分别与第一孔修正区和第二孔修正区连接，第一孔修正区和第二孔修正区在第二槽区的长度方向上分别位于连接区的两侧。

5.根据权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一孔修正区和所述第二孔修正区在第二槽区宽度方向上分别位于第二槽区中的两侧边缘。

6.根据权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述连接区的两端为第一端和第二端，第一端和第一孔修正区连接，第二端和第二孔修正区连接，自第一端至第二端的方向平行于第二槽区的宽度方向。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为无定型硅或无定型碳；所述第一侧墙和第二侧墙的材料包括氮化硅；所述介质层的材料为氧化硅或低K介质材料。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述牺牲层的方法包括：在所述介质层表面形成牺牲膜；在牺牲膜上形成光刻胶膜；采用掩膜版对光刻胶膜进行曝光工艺，在光刻胶膜中形成曝光区和非曝光区；对光刻胶膜进行显影处理以去除光刻胶膜的非曝光区，且使光刻胶膜的曝光区形成光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜刻蚀牺牲膜直至暴露出介质层表面，形成所述牺牲层；刻蚀牺牲膜后，去除所述光刻胶层。

9.根据权利要求8所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述掩膜版的制作方法包括：获取第二槽修正区和第一槽区的图形对应的光刻掩膜层图形；对所述光刻掩膜层图形进行OPC修正，得到修正图形；根据所述修正图形制作掩膜版。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一侧墙和第二侧墙的方法包括：在所述牺牲层的侧壁和顶部、以及牺牲层暴露出的介质层表面形成侧墙膜；回刻蚀所述侧墙膜直至暴露出介质层表面，形成所述第一侧墙和第二侧墙。