[发明专利]光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法

权利要求书

1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：

提供目标刻蚀图形，所述目标刻蚀图形包括多个子目标刻蚀图形，所述子目标刻蚀图形呈长条状；

提供偏移补偿模型，所述偏移补偿模型包括第一平均补偿模型和第二平均补偿模型，所述第一平均补偿模型用于获取各第一类型分割边沿第二方向的第一类型平均偏移量，第二平均补偿模型用于获取各第二类分割边沿第一方向的第二类型平均偏移量；所述第一类型补偿分割边为第一类型分割边沿第二方向平移第一类型平均偏移量而得到，所述第二类型补偿分割边为第二类型分割边沿第一方向平移第二类型平均偏移量而得到；

将子目标刻蚀图形的各边分割为若干分割边，所述若干分割边包括平行于第一方向的第一类型分割边和平行于第二方向的第二类型分割边，第二方向为子目标刻蚀图形的宽度方向，第一方向垂直于第二方向；

根据所述偏移补偿模型，对各分割边进行补偿修正，得到补偿图形，所述补偿图形包括对应第一类型分割边的第一类型补偿分割边和对应第二类型分割边的第二类型补偿分割边；

制作刻蚀偏移表；

根据刻蚀偏移表获取补偿图形对应的掩膜层图形；

对掩膜层图形进行OPC修正，得到修正图形。

2.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第一平均补偿模型包括：第一补偿模型，用于获取各第一类型分割边中各点的第一偏移量；第一平均模型，用于获取每个第一类型分割边中各点的第一偏移量的平均值作为对应第一类型分割边的第一类型平均偏移量。

3.根据权利要求2所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述修正图形用于写入掩膜版中；第一类型分割边中各点为第一类型分点，第一类型分点根据光学投影关系在掩膜版中对应至第一类型光罩点；

第一类型分割边中各第一类型分点的第一偏移量x_ol＝k-θ_xy_wafer+M_xx_wafer-φ_xy_reticle+m_xx_reticle；

其中，θ_x为第一类型分点位置的第二方向晶圆转动角系数，M_x为第一类型分点位置的第二方向晶圆膨胀系数，φ_x为第一类型光罩点位置的第二方向光罩转动角系数，m_x为第一类型光罩点位置的第二方向光罩膨胀系数，(x_wafer,y_wafer)为第一类型分点的坐标，(x_reticle,y_reticle)为第一类型光罩点的坐标，k为第一偏移常数；

第一类型分割边的第一类型平均偏移量

4.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第二平均补偿模型包括：第二补偿模型，用于获取各第二类型分割边中各点的第二偏移量；第二平均模型，用于获取每个第二类型分割边中各点的第二偏移量的平均值作为对应第二类型分割边的第二类型平均偏移量。