[发明专利]光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法

说明书

一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法，光学邻近修正方法包括：提供目标刻蚀图形，所述目标刻蚀图形包括多个子目标刻蚀图形；提供偏移补偿模型；将子目标刻蚀图形的各边分割为若干分割边；根据所述偏移补偿模型，对各分割边进行补偿修正，得到补偿图形；获取补偿图形对应的掩膜层图形；对掩膜层图形进行OPC修正，得到修正图。形所述光学邻近修正方法提高了修正精度。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法。

背景技术

光刻技术是半导体制作技术中至关重要的一项技术，光刻技术能够实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面，形成符合设计要求的半导体产品。光刻工艺包括曝光步骤、曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤。在曝光步骤中，光线通过掩膜版中透光的区域照射至涂覆有光刻胶的硅片上，光刻胶在光线的照射下发生化学反应；在显影步骤中，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同，形成光刻图案，实现掩膜版图案转移到光刻胶上；在刻蚀步骤中，基于光刻胶层所形成的光刻图案对硅片进行刻蚀，将掩膜版的图案进一步转移至硅片上。

在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，设计尺寸越来越接近光刻成像系统的极限，光的衍射效应变得越来越明显，导致最终对设计图形产生光学影像退化，实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变，最终在硅片上经过光刻形成的实际图形和设计图形不同，这种现象称为光学邻近效应(OPE：Optical Proximity Effect)。

为了修正光学邻近效应，便产生了光学邻近校正(OPC：Optical ProximityCorrection)。光学邻近校正的核心思想就是基于抵消光学邻近效应的考虑建立光学邻近校正模型，根据光学邻近校正模型设计光掩模图形，这样虽然光刻后的光刻图形相对应光掩模图形发生了光学邻近效应，但是由于在根据光学邻近校正模型设计光掩模图形时已经考虑了对该现象的抵消，因此，光刻后的光刻图形接近于用户实际希望得到的目标图形。

然而，现有技术中光学邻近校正的修正精度较低。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法，以提高修正精度。

为解决上述问题，本发明提供一种光学邻近修正方法，包括：提供目标刻蚀图形，所述目标刻蚀图形包括多个子目标刻蚀图形；提供偏移补偿模型；将子目标刻蚀图形的各边分割为若干分割边；根据所述偏移补偿模型，对各分割边进行补偿修正，得到补偿图形；获取补偿图形对应的掩膜层图形；对掩膜层图形进行OPC修正，得到修正图形。

可选的，所述子目标刻蚀图形呈长条状；所述若干分割边包括平行于第一方向的第一类型分割边和平行于第二方向的第二类型分割边，第二方向为子目标刻蚀图形的宽度方向，第一方向垂直于第二方向；所述补偿图形包括对应第一类型分割边的第一类型补偿分割边和对应第二类型分割边的第二类型补偿分割边；所述偏移补偿模型包括第一平均补偿模型和第二平均补偿模型，所述第一平均补偿模型用于获取各第一类型分割边沿第二方向的第一类型平均偏移量，第二平均补偿模型用于获取各第二类分割边沿第一方向的第二类型平均偏移量；所述第一类型补偿分割边为第一类型分割边沿第二方向平移第一类型平均偏移量而得到，所述第二类型补偿分割边为第二类型分割边沿第一方向平移第二类型平均偏移量而得到。

可选的，所述第一平均补偿模型包括：第一补偿模型，用于获取各第一类型分割边中各点的第一偏移量；第一平均模型，用于获取每个第一类型分割边中各点的第一偏移量的平均值作为对应第一类型分割边的第一类型平均偏移量。