[发明专利]一种掩膜板以及阵列基板的制备方法

权利要求书

1.一种掩膜板，包括用于在待刻蚀的基板上形成半过孔的掩膜图形，其特征在于，所述掩膜图形内设置有至少一个功能部，所述功能部与所述半过孔的深孔区域和浅孔区域的交界处相对应，用于在形成所述半过孔的过程中，在所述基板上与所述半过孔的深孔区域和浅孔区域的交界处相对应的位置保留光刻胶，且所述位置的光刻胶的厚度小于非半过孔位置的光刻胶的厚度，以使所述交界处相对应位置的光刻胶在半过孔的刻蚀过程中能够同时被刻蚀。

2.如权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述功能部包括至少一个条状结构。

3.如权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述功能部包括一个条状结构，且所述条状结构的宽度小于曝光机的分辨率。

4.如权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述功能部包括多个条状结构，各所述条状结构平行且间隔设置，各所述条状结构的宽度小于曝光机的分辨率，且相邻所述条状结构之间的距离小于曝光机的分辨率。

5.如权利要求1-4任一项所述的掩膜板，其特征在于，所述光刻胶为正性光刻胶，所述掩膜图形为透光区，所述功能部为阻挡部；或者，所述光刻胶为负性光刻胶，所述掩膜图形为非透光区，所述功能部为镂空部。

6.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在衬底基板上形成第一电极层、第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一电极层、第一绝缘层和第二绝缘层在所述衬底基板上依次层叠设置；

在所述第二绝缘层上涂覆光刻胶；

对完成上述步骤的衬底基板采用如权利要求1-5任一项所述的掩膜板进行曝光、显影、刻蚀，以在所述第二绝缘层上形成半过孔的图形；其中，在显影之后、刻蚀之前，在所述第二绝缘层上与所述半过孔的深孔区域和浅孔区域的交界处相对应的位置保留光刻胶，且所述位置的光刻胶的厚度小于非半过孔位置的光刻胶的厚度，以使所述交界处相对应位置的光刻胶在半过孔的刻蚀过程中能够同时被刻蚀。

7.如权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在衬底基板上形成第一绝缘层之后、形成第二绝缘层之前，所述方法还包括：形成源漏金属层，其中，与所述半过孔的浅孔区域相对应的掩膜图形与所述源漏金属层的位置相对应。

8.如权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述第二绝缘层上形成半过孔的图形之后，所述方法还包括：

在所述第二绝缘层上形成第二电极层，以使所述第二电极层在所述半过孔的深孔区域与所述第一电极层搭接，并在所述半过孔的浅孔区域与所述源漏金属层搭接。

9.如权利要求6-8任一项所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在形成第一电极层之后、第一绝缘层之前，所述方法还包括：形成栅极层；或者，

所述在形成第一绝缘层之前，所述方法还包括：通过构图工艺在所述衬底基板上同步形成第一电极层和栅极层。