[发明专利]一种掩膜板以及阵列基板的制备方法

说明书

本发明提供一种掩膜板及阵列基板的制备方法，通过在掩膜板用于形成半过孔的掩膜图形内设置至少一个功能部，该功能部与半过孔的深孔区域和浅孔区域的交界处相对应，用于在形成半过孔的过程中，在待刻蚀的基板上与深孔区域和浅孔区域的交界处相对应的位置保留光刻胶，且该位置的光刻胶的厚度小于非半过孔位置的光刻胶的厚度；在刻蚀半过孔的过程中，深孔区域和浅孔区域的交界处先刻蚀到光刻胶，在半过孔刻蚀完成前保证残留的光刻胶刻蚀不会过早消耗完，从而避免底切现象，覆盖半过孔的电极层可以与深孔区域的电极层和浅孔区域的金属层牢固连接，从而保证信号的有效转接，无需要增大半过孔外围电极层的连接宽度，从而提升像素开口率及面板透过率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种掩膜板及阵列基板的制备方法。

背景技术

随着显示技术的发展，人们对显示屏的透过率要求越来越高，因此对像素的开口率要求越来越高，为提升像素开口率，出现了半过孔转接的设计，即半过孔的部分区域位于信号输入层，另一部分区域位于信号输出层，通过一个半过孔即可实现不同膜层间的信号转接。不同于传统过孔的是，传统过孔位于单一膜层上面，若需要转接两个膜层间的信号则需要多个过孔。

在制作半过孔的工艺过程中，由于在半过孔的深孔区域和浅孔区域需要的刻蚀深度不同，深孔区域和浅孔区域的交界处会因为浅孔区域金属层与深孔区域绝缘层之间刻蚀速率差异明显导致严重的底切现象，电极层在此处断裂无法实现信号有效转接。这样就需要补偿半过孔外围电极层的宽度以利用半过孔外围的电极层实现信号有效转接，但是，增加半过孔外围电极层的宽度又会降低像素开口率。

发明内容

本发明针对现有技术中存在的上述不足，提供一种掩膜板及阵列基板的制备方法，用以至少部分解决现有的半过孔无法兼顾电极层牢固连接和像素开口率的问题。

本发明为解决上述技术问题，采用如下技术方案：

本发明提供一种掩膜板，包括用于在待刻蚀的基板上形成半过孔的掩膜图形，其特征在于，所述掩膜图形内设置有至少一个功能部，所述功能部与所述半过孔的深孔区域和浅孔区域的交界处相对应，用于在形成所述半过孔的过程中，在所述基板上与所述半过孔的深孔区域和浅孔区域的交界处相对应的位置保留光刻胶，且所述位置的光刻胶的厚度小于非半过孔位置的光刻胶的厚度，以使所述交界处相对应位置的光刻胶在半过孔的刻蚀过程中能够同时被刻蚀。

优选的，所述功能部包括至少一个条状结构。

优选的，所述功能部包括一个条状结构，且所述条状结构的宽度小于曝光机的分辨率。

优选的，所述功能部包括多个条状结构，各所述条状结构平行且间隔设置，各所述条状结构的宽度小于曝光机的分辨率，且相邻所述条状结构之间的距离小于曝光机的分辨率。

优选的，所述光刻胶为正性光刻胶，所述掩膜图形为透光区，所述功能部为阻挡部；或者，所述光刻胶为负性光刻胶，所述掩膜图形为非透光区，所述功能部为镂空部。

本发明还提供一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤：

在衬底基板上形成第一电极层、第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一电极层、第一绝缘层和第二绝缘层在所述衬底基板上依次层叠设置；

在所述第二绝缘层上涂覆光刻胶；

对完成上述步骤的衬底基板采用如前所述的掩膜板进行曝光、显影、刻蚀，以在所述第二绝缘层上形成半过孔的图形；其中，在显影之后、刻蚀之前，在所述第二绝缘层上与所述半过孔的深孔区域和浅孔区域的交界处相对应的位置保留光刻胶，且所述位置的光刻胶的厚度小于非半过孔位置的光刻胶的厚度，以使所述交界处相对应位置的光刻胶在半过孔的刻蚀过程中能够同时被刻蚀。